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2012 Fiscal Year Research-status Report

新奇な熱電材料設計:ナノサイズ格子の原子配置ランダム化による移動度向上機構の検討

Research Project

Project/Area Number 23560838
Research InstitutionYamaguchi University

Principal Investigator

赤井 光治  山口大学, 大学情報機構, 准教授 (20314825)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 岸本 堅剛  山口大学, 理工学研究科, 助教 (50234216)
Keywords熱電材料 / クラスレート半導体 / ランダムポテンシャル
Research Abstract

H24年度は1) カゴ状物質でタイプVIII構造を持つ4元系クラスレートBa-Ga-Sn系について、実験において観測されているGe置換による熱電性能の向上と混晶化の関連性を調べるため、Ge置換による熱電性能変化の機構について輸送解析を行い検討を行った。また、ホストサイトにおける2)ランダムポテンシャルの効果を調べるため、ホストサイト原子の配置について引き続き検討を行った。
具体的に、1)については、Ge原子がクラスレート構造のホストサイトの一部を置換することが予想されている。しかし、Ge原子がクラスレート構造内のどのホストサイトに入るかは明確になっていなかった。このため、まず、電子構造計算を進めるにあたり、Ga-Ge-Snがどのように配置するかを、全エネルギーの計算により調べた。この結果、タイプVIII構造に存在する4種類のホストサイトのなかで、Ga原子の場合と同様に2aサイトおよび、8cサイトに占有されやすいことが分かった。また、Ge原子はSn原子のサイトを置換することを反映し、三元系であるBa-Ga-Snにおいて、Gaサイトへの影響は小さくSnサイトをGeに置換するモデルが実験結果と整合性が高い結果が得られることが分かった。この、配置モデルに基づき、バンド構造を行い、熱電物性評価を行った。焼結体では、Ge置換により、Seebeck係数が大きく変化することが示されているが、計算では、Seebeck係数への影響が小さいことが分かった。2)については、従来の原子間モデルを改善し、長距離相互作用を考慮した配置モデルによる計算手法の開発を行った。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

3: Progress in research has been slightly delayed.

Reason

今年度予定していた、4元系クラスレート系の熱電物性評価については、予定通り進んでいる。一方、ポテンシャル評価については予定より遅れているが、時間のかかっていた原子間ポテンシャル評価の目処が立ち、今後順調に進展する予定。

Strategy for Future Research Activity

今後の研究については、実験研究と理論研究の相互連携をはかり、未解決課題の確認とそれに対する対応を進め、研究目的の達成に向けた取り組みを行う。

Expenditure Plans for the Next FY Research Funding

熱電国際会議など熱電分野での主要学会での参加費用および計算規模の拡大に対処するための計算環境強化を研究進捗に応じ行う。

  • Research Products

    (8 results)

All 2013 2012

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (7 results)

  • [Journal Article] Effect of Ge substitution on carrier mobilities and thermelectric properties of sintered p-type Ba8Ge16+xSn30-x-yGey with the type-VIII clathrate structure2012

    • Author(s)
      K. Kishimoto, H. Yamamoto, K. Akai, T. Koyanagi
    • Journal Title

      J. Phys. D: Appl. Phys.

      Volume: 45 Pages: 445306/1-8

    • DOI

      doi:10.1088/0022-3727/45/44/445306

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] クラスレート半導体Ba-Ga-Snの電子構造に対するGe置換効果の計算2013

    • Author(s)
      赤井光治,岸本堅剛,河野欣,小柳剛,山本節夫
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学 (厚木市)
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] 熱電クラスレートBa8M16Ge30 (M = Al, Ga, In)のキャリア移動度2013

    • Author(s)
      岸本堅剛,小柳剛,赤井光冶
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学 (厚木市)
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] tudy of Electronic strucutre and Thermoelectric Properties on Ba-Ga-Sn Clathrate2012

    • Author(s)
      K. Akai, Y. Kono, K. Kishimoto, S. Yamamoto, S. Shimamura
    • Organizer
      The seventh General Meeting of ACCMS-VO
    • Place of Presentation
      東北大学 (仙台市)
    • Year and Date
      20121123-20121125
  • [Presentation] ダブル置換型クラスレート半導体におけるマイナーキャリアのバンド構造制御による高性能化の検討2012

    • Author(s)
      赤井光治,河野欣, 岸本堅剛, 小柳剛、山本節夫
    • Organizer
      第9回日本熱電学会学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学 (東京)
    • Year and Date
      20120827-20120828
  • [Presentation] III-IV族クラスレート半導体におけるIII族原子の分布ゆらぎに関する計算2012

    • Author(s)
      松本浩一,赤井光治, 岸本堅剛, 栗巣普輝, 小柳剛, 山本節夫
    • Organizer
      第9回日本熱電学会学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学 (東京)
    • Year and Date
      20120827-20120828
  • [Presentation] irst-principle study of crystal structure for alkali metal doped Tin clathrate Ba-Ga-Sn2012

    • Author(s)
      K. Akai, K. Kishimoto, T. Koyanagi, Y. Kono, S. Yamamoto
    • Organizer
      The 31st International and 10th European Conf. on Thermoelectrics
    • Place of Presentation
      Aalborg, Denmark
    • Year and Date
      20120709-20120712
  • [Presentation] タイプ8構造を持つ4元系Snクラスレートにおける電子状態と熱電特性2012

    • Author(s)
      赤井光治,河野欣,岸本堅剛
    • Organizer
      第68回年次大会(日本物理学会)
    • Place of Presentation
      広島大学 (東広島市)
    • Year and Date
      20120326-20120326

URL: 

Published: 2014-07-24  

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