2012 Fiscal Year Research-status Report
単一有機物での完全充填する銅ダマシンめっき添加剤の分子設計
| Project/Area Number |
23560872
|
|---|
| Research Institution | Osaka Prefecture University |
|---|
Principal Investigator |
近藤 和夫 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50250478)
|
|---|
| Keywords | めっき / 銅ダマシン / 有機添加剤 / 単一 / ジアリルアミン |
|---|
| Research Abstract |
通常4種類以上用いている銅ダマシンめっきの添加剤を、ジアリルアミンの単一有機添加剤で充填することに関して電気化学測定とQCM測定によりその現象を明らかにした。研究成果を以下に箇条書きにする。
1.(a) HCl, (b) HBr, (c) HI, (d) AcOH, (e) HOC2H4SO3H, (f) CF3SO3H, (g) H2NSO3H, (h) CH3C6H4SO3HをN原子に配位したジアリルメチルアミンレベラーを用い検討した。マイクロビア埋め込み断面の形状観察より対イオンがハロゲン(a) HCl, (b) HBr, (c) HIである場合、ビア外部の銅めっき膜厚は薄く、ビア内部は銅めっきの完全充填を達した。一方、対イオンがハロゲンでない場合、いずれもビア中央部に凹形状のくぼみがあり完全充填は達成できなかった。
CV測定結果より対イオン(a) HCl, (b) HBr, (c) HIは添加量を大きくするにつれて銅の析出反応が抑制される電位はより卑な方向にシフトした。さらに逆方向走査において順方向走査よりも析出電流値が大きくなり、ヒステリシスが確認できた。一方、対イオンがハロゲンでない場合ではヒステリシスは確認できなかった。
LSV測定結果より(a) HCl, (b) HBr, (c) HIではいずれも回転速度が速くなるほど、析出反応が抑制され、流速が大きくなるほど、平板へのめっき析出を抑制すると考えられた。この傾向は(a) HCl, (c) HIでより大きかった。
2.ジアリルメチルアミンのアリル基とスルホニル基の間にアリルスルホン酸ソーダおよびビニルイミダゾールを組み込んだ追加型構造の影響を検討した。マイクロビア埋め込み断面の形状観察より (a) SAS 8:1:8, (c) Vin-HCl 2:1:2ではビア内部を完全に充填した後、バンプが形成された。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
現在まで大別して3分類のジアリルアミンを検討した。
1. (a) HCl, (b) HBr, (c) HI, (d) AcOH, (e) HOC2H4SO3H, (f) CF3SO3H, (g) H2NSO3H, (h) CH3C6H4SO3HをN原子に配位したジアリルメチルアミンレベラ-
2. ジアリルメチルアミンのアリル基とスルホニル基の間にアリルスルホン酸ソーダおよびビニルイミダゾールを組み込んだ追加型構造
3. 側鎖ジアミン型
現在までの達成度は80%程度である。
|
| Strategy for Future Research Activity |
今後は、追加型構造のジアリルアミンを合成して、その電気化学挙動や吸着特性を検討していく。
|
| Expenditure Plans for the Next FY Research Funding |
QCMの金電極、電気化学セル、試薬、日東紡との研究打ち合わせの旅費(東京・大阪)、微小配線基板加工費、ECS(米国電気化学会)出張
|
Research Products
(6 results)
