2012 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
23654077
|
|---|
| Research Institution | The University of Tokyo |
|---|
Principal Investigator |
LIPPMAA Mikk 東京大学, 物性研究所, 准教授 (10334343)
|
|---|
| Keywords | 軽元素の半導体 |
|---|
| Research Abstract |
本プロジェクトの目的はBe酸化物ベースの軽元素半導体材料の開発である。2年目となる昨年度はパルスレーザー堆積法を利用してBe酸化物とZn酸化物の混晶薄膜を作製するためのプロセスを開発した。混晶薄膜はバンドギャップを制御することが可能なワイドバンドギャップ半導体であることが知られている。そこで、パルスレーザー堆積法でBe酸化物とZn酸化物の混晶体薄膜のBe濃度を増やすことで、バンドギャップの大きさを広げることに成功した。バンドギャップの大きさは光伝導度と紫外光の反射スペクトルから解析した。光伝導度を評価する手法はBeとZn酸化物の混晶体が放射線センサーとしての機能性を評価するのに有用な方法であった。
|
