2013 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
23684026
|
|---|
| Research Institution | Osaka University |
|---|
Principal Investigator |
若林 裕助 大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授 (40334205)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2011-11-18 – 2014-03-31
|
| Keywords | 表面・界面物性 / 物性実験 / 固液界面 / 放射光 / 有機デバイス / イオン液体 |
|---|
| Research Abstract |
今日の電子デバイスのほとんどはシリコンを基礎とした技術に依存している。しかし，これを炭素ベースに置き換える事で，ある種の用途には大きなメリットが生まれ得ることが認識されるようになってきた。有機半導体を基礎に電子デバイスを作製する事で安価，軽量，柔軟性を持った透明なデバイスを作製できる，あるいは印刷によってデバイスが作製できる特性を生かして，電子デバイスの多品種少量生産が可能となると期待されている。そのために近年，有機半導体デバイスの研究が盛んになっており，現在では半導体素材の性能としてはアモルファスシリコンを上回る易動度の有機半導体素材まで開発されている。
本研究では，有機半導体デバイスで利用される界面の物性を微視的に理解するために，0.01nmの分解能で界面構造を明らかにした。そのために放射光を用いた表面X線回折法を用い，さらにホログラフィの考え方を取り入れた解析を適用した。
本研究において，我々は有機半導体物質テトラセンの表面近傍の構造を解明することに成功した。その結果，有機半導体において非常に大きな表面構造緩和が生じている場合があることを初めて明らかにした。もう一つの大きな結果は，イオン液体の形成する電気二重層構造の直接観測に成功したことである。この電気二重層は有機トランジスタのゲート絶縁層に用いられ，動作電圧の低減に大きな効果があることが知られているのみならず，幅広い物性物理の研究分野において強電場印加に有効な手段として注目が高まっている。この電気二重層の構造を，電場依存性まで含めて初めて非接触なやり方で観測することに成功した。
|
| Current Status of Research Progress |
Reason
25年度が最終年度であるため、記入しない。
|
| Strategy for Future Research Activity |
25年度が最終年度であるため、記入しない。
|
