2014 Fiscal Year Annual Research Report
表面プラズモン超集束を用いた高密度光制御電子源アレイの開発
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23686016
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| Research Institution | Tokyo University of Agriculture and Technology |
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Principal Investigator |
岩見 健太郎 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80514710)
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| Project Period (FY) |
2011-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | MEMS / NEMS / プラズモニクス / 電子源 / 光制御 / 波長板 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本年度の研究目的として、 I. 超並列光制御のための微小偏光制御素子の開発、 II. プラズモン共鳴発生時の熱散逸制御のためのグレーティング構造の開発、III. 上記要素を集積化した裏面光制御プラズモン共鳴電子源アレイの開発 の3点に取り組んだ。
I.に関し、金属ナノグレーティングを利用した超微細軸対称偏光素子の高効率化を行った。ナノコーティング法と呼ばれる新たな製作方法の導入によって、透過率の高い構造体を高い歩留りで製作することができるようになった。この結果はApplied Physics Letters誌上で発表され、新聞報道（1件）に取り上げられた。また、I.に付随して、可変グレーティング構造からなる変更可変制御素子を提案し、国際会議で報告した。
II. に関し、シリコン基板を鋳型として金属薄膜を電解めっき成膜することでキャビティ構造を製作するプロセスを考案し、熱散逸制御構造の作成が可能であることを示した。この成果はJ. Comput. Theret. Nanosci誌に掲載された。
III. に関し、要素技術を集積化した電子源アレイシステムの構築を試みた。製作技術の点、とくに引出電極のセルフアライメント形成に課題があり全体として製作歩留まりが低い結果となった。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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