2011 Fiscal Year Research-status Report
小型サイクロトロンを用いた生体高分子プローブ標識用長半減期ＲＩの製造
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23701091
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| Research Institution | The Institute of Physical and Chemical Research |
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Principal Investigator |
金山 洋介 独立行政法人理化学研究所, 分子プローブ動態応用研究チーム, 研究員 (60435641)
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| Project Period (FY) |
2011-04-28 – 2013-03-31
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| Keywords | 抗体PETイメージング / 65Zn / 89Zr |
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| Research Abstract |
これまでに製造法を確立した64Cu製造技術を応用し、65Zn、89Zr製造のためのサイクロトロン照射用ターゲットの電着メッキ法による作成を試みた。ターゲット材としてはAuディスクを使用するが、まずメッキ条件の探索のためAuのロッドを電極として用いて実験を行った。65Zn照射のターゲット材となるCuを硫酸にて溶解し、希硫酸銅溶液を作成して電解溶媒とした。AuロッドとCu板を電極として設置したビーカー内にこの電解溶媒を加え、硫酸濃度、印加電圧を変化してメッキ条件を検討した。その結果、ロッド表面へのCu析出に成功した。しかしながら、専用のメッキ装置、照射用Auディスクなど、既存の高比放射能64Cu製造を行う実験環境へのCu安定同位体のコンタミネーションを防ぐための実験環境の整備が必要であり、65Zn製造は24年度の課題とした。 またYターゲット作成についても同様に電着メッキ条件の検討を行った。AuロッドとYロッドを電極とし、Y箔、酸化Y粉末を酸で溶解した様々な電解溶液でメッキ作成について検討したが、水溶媒系ではYの析出が可能な条件を見出せなかった。そこで現在アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、ピリジンなど各種有機溶媒を用いた電着条件の検討を行っているが、未だメッキ作成に至っていない。 ターゲット作成法の検討に平行して、65Zn、89Zr製造後に標識可能なキレーター分子を修飾した抗体分子の作成を行った。研究計画に記した手法で抗体分子に対しDOTA、NOTA、DTPA、desferrioxamineの各種キレート分子を修飾し、標識前駆体を作成した。これらキレート分子修飾の成否については、MALDI-TOFによる質量分析により分子量を元抗体と比較して確認できた。今後、65Zn、89Zr製造に成功した後、これらを用いた標識条件の検討を進める。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
目標とする65Zn、89Zrの製造法確立と標識抗体プローブ作成には至っていない。65Znについては実験環境を整備することで65Zn製造は可能な状況であり、平成24年度中に標識抗体プローブ作成まで達成することが可能と判断している。しかしながら89Zrについては当初考えていた電着メッキついて様々な条件下での検討にも関わらず成功しておらず、製造法の変更の検討が必要である。
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| Strategy for Future Research Activity |
既存の64Cu製造に影響を与えない65Zn製造用の実験環境を整備し、65Zn標識抗体プローブの作成を進める。89Zr製造に関しては、ターゲット材であるYが電着メッキに非常に不向きな金属であり、関連する参考文献も少ないことから、スパッタや真空蒸着法によるメッキ作成法への方針変更も必要と考えられる。しかしながら、これらを行う専用装置は高価であり、現在の研究計画ではこれらを購入しての検討は困難な可能性が高い。有機溶媒系による電着メッキ法を引き続き検討するとともに、専門の業者と議論し、予算内で導入可能な薄膜製造法を検討する。また一方で、YをAuディスク上にコーティングせず、金属箔の状態でターゲットとして使用可能なサイクロトロン標的チャンバーの設計・導入の可能性についても検討すし、より実現性の高い方法を採用する。
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| Expenditure Plans for the Next FY Research Funding |
上記の様に、65Zn製造に関する専用器具一式を購入する。また89Zr製造に関しては23年度未使用額と24年度研究費の合計の範囲内で導入可能な手法を検討し、薄膜製造用の装置または金属箔照射用のサイクロトロン標的チャンバーを導入する。
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Research Products
(1 results)
