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2012 Fiscal Year Annual Research Report

原子間力顕微鏡リソグラフィー法によるグラフェンのバンドギャップ制御に関する研究

Research Project

Project/Area Number 23710155
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

増渕 覚  東京大学, ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構, 特任助教 (50596195)

Keywordsグラフェン / 酸化グラフェン / バンドギャップ制御 / 原子間力顕微鏡 / 陽極酸化法
Research Abstract

本研究では、AFM陽極酸化法を利用して、グラフェン中にバンドギャップを導入する技術の確立に取り組んだ。その結果、(i)AFM陽極酸化法による酸化グラフェン生成、および(ii)グラフェン細線構造によるグラフェンのバンドギャップ制御に成功した。
(i)シリコン基板上に形成されたグラフェンに、AFMカンチレバーを接触させ、カンチレバーに負の電圧を印加し、グラフェン表面に吸着している水分子が電界により電離させ、陽極酸化反応によりグラフェンを酸化した。カンチレバーを空間掃引することによりグラフェン/酸化グラフェン/グラフェン接合素子を作製した。素子の電子輸送特性を測定したところ、非線形な電流―電圧曲線とともにΔVSD = 3 V程度の電流抑制領域を確認した。金属/半導体/金属接合が実現したことを意味する。さらに、カンチレバーへの印加電圧を変調したところ、電流抑制領域の幅が系統的に変化した。酸化度を変化させ、グラフェン/酸化グラフェン/グラフェン接合素子のトランスポートギャップを調整することに成功した。酸化グラフェンの酸化度がカンチレバー印加電圧とともに変化することは、ラマン分光・オージェ電子分光法によっても確認した。
(ii)酸化グラフェンナノ構造により、グラフェンを局所的に絶縁化することで、幅10nm程度の超微細グラフェン細線素子を作製した。作製した細線素子には、トランスポートギャップが形成され、ゲート電圧を印加しない状態でコンダクタンスがゼロに抑制された。ゲート電圧を印加すると、電界効果によりコンダクタンスが増大し、スイッチング動作の実証に成功した。

  • Research Products

    (10 results)

All 2013 2012

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (7 results) (of which Invited: 3 results)

  • [Journal Article] Spin Relaxation in Weak Localization Regime in Multilayer Graphene Spin Valves2013

    • Author(s)
      T. Yamaguchi
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 52 Pages: 040205

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.040205

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Cross-sectional transmission electron microscopy analysis of nanogap electrode fabricated by atomic force microscope local oxidation2013

    • Author(s)
      R. Moriya
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 52 Pages: 055201

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.055201

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Boundary Scattering in Ballistic Graphene2012

    • Author(s)
      S. Masubuchi
    • Journal Title

      Physical Review Letters

      Volume: 109 Pages: 036601

    • DOI

      10.1103/PhysRevLett.109.036601

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 高移動度グラフェン/h-BNヘテロ構造における量子輸送現象2013

    • Author(s)
      増渕覚
    • Organizer
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学
    • Year and Date
      20130327-20130330
    • Invited
  • [Presentation] グラフェンにおけるバリスティック伝導と光電圧効果2013

    • Author(s)
      町田友樹
    • Organizer
      日本物理学会第68回年次大会
    • Place of Presentation
      広島大学
    • Year and Date
      20130326-20130329
    • Invited
  • [Presentation] 高移動度グラフェンにおけるバリスティック伝導と磁気整合効果2012

    • Author(s)
      増渕覚
    • Organizer
      第26回ダイヤモンドシンポジウム
    • Place of Presentation
      青山学院大学
    • Year and Date
      20121119-20121121
  • [Presentation] Boundary Scattering in Ballistic Graphene Wire2012

    • Author(s)
      S. Masubuchi
    • Organizer
      International Union of Materials Research Societies- International Conference on Electronic Materials
    • Place of Presentation
      Yokohama, Japan
    • Year and Date
      20120923-20120927
  • [Presentation] 高移動度グラフェン/h―BN細線における磁気整合効果2012

    • Author(s)
      増渕覚
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学・松山大学
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] Boundary Scattering in Ballistic Graphene2012

    • Author(s)
      S. Masubuchi
    • Organizer
      The 20th international conference on High magnetic fields in semiconductor physics
    • Place of Presentation
      Chamonix, France
    • Year and Date
      20120722-20120727
  • [Presentation] グラフェンナノ構造における量子輸送現象2012

    • Author(s)
      増渕覚
    • Organizer
      2012年度ニューダイヤモンドフォーラム研究会
    • Place of Presentation
      東京大学
    • Year and Date
      20120615-20120615
    • Invited

URL: 

Published: 2014-07-24  

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