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2011 Fiscal Year Research-status Report

酸窒化物超格子のピエゾ電界を利用した室温動作エキシトニクスデバイスの創成

Research Project

Project/Area Number 23760285
Research InstitutionKyushu University

Principal Investigator

板垣 奈穂  九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 准教授 (60579100)

Project Period (FY) 2011-04-28 – 2013-03-31
Keywordsエキシトニックトランジスタ / ピエゾ電界 / 酸化物半導体 / 酸窒化物半導体 / 量子井戸 / 結晶成長 / スパッタリング
Research Abstract

本研究は、酸(窒)化物半導体を用いて室温動作可能なエキシトニックトランジスタを創成することを目的としている。平成23年度は、高効率エキシトン流生成のためのデバイス構造の検討、および酸(窒)化物半導体材料の高品質化のための実験を行った。 高効率エキシトン流生成のためのデバイス構造については、従来トレードオフの関係にあった"高いエキシトン束縛エネルギー"と"低いエキシトン再結合確率"を両立させる構造として、ピエゾ電界誘起型量子構造を考案した。デバイスシミュレータを用いて上記量子井戸構造(井戸層:ZnInON、障壁層:ZnO)におけるエキシトン再結合レートを計算した結果、従来構造に比べ再結合レートが約3桁低くなることが分かった(再結合寿命~1μsec)。これは上記ピエゾ電界誘起型構造では、量子井戸内における強い内部電界により電子―ホールの波動関数の空間的重なりが小さくなるためである。以上の結果は、室温でのエキシトン流の高効率生成が可能であることを示している。 酸(窒)化物半導体材料の高品質化については、プラズマ中酸素/窒素ラジカルの制御、および、独自に考案した不純物添加法による結晶核発生制御、の2つのアプローチにより行った。その結果、量産性に優れたスパッタリング法によっても、高品質なZnO膜およびZnInON膜を作製することに成功した。ZnO膜においては、残留キャリア濃度を10^16cm^-3まで低減できることが分かり、本手法が酸(窒)化物膜の高品質化に非常に有効であることが示された。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

本研究では室温動作可能なエキシトニックデバイスの実現を目的とし、(1)新規酸窒化物半導体高品質結晶成長、および(2)エキシトン流生成の実証、の2項目について研究を行っている。新規に考案した結晶核制御技術により、現在までに項目(1)を実現している。項目(2)については、デバイスシミュレーション等を行い、本提案のピエゾ電界誘起量子井戸構造が、エキシトン流の高効率生成に非常に有効であることを示した。今後(1)により得られた高品質半導体膜を用いて(2)の量子井戸構造を形成することにより、高温でのエキシトン流の実証を目指す。

Strategy for Future Research Activity

(1) 新規酸窒化物半導体高品質結晶成長については、プラズマ発生をパルス的に行うことで、更なる高品質化を目指す。具体的にはラジカル源によるO/N原子照射とIn/Znのスパッタリングとを交互に行い、高エネルギー粒子を間歇的に供給することで基板上での原料拡散を促し高品質結晶を成長させる。(2)エキシトン流生成の実証については、ZnInON/ZnO量子井戸構造を形成し、エキシトン再結合による発光の2次元分布と励起用レーザー照射位置を測定することで、エキシトンの寿命、拡散長および移動経路を明らかにする。上記2つのアプローチにより室温動作可能なエキシトニックトランジスタの実現を目指す。

Expenditure Plans for the Next FY Research Funding

(消耗品)酸窒化物半導体量子井戸構造の形成のため、スパッタリングターゲット、エピタキシャル基板、等を計上する。(旅費) 研究成果を発表し、国内外の研究者と討論するために、国内出張旅費と海外出張旅費を計上する。(その他) 本研究の遂行には膜中窒素濃度の測定が不可欠である。窒素濃度の絶対値測定にはラザフォード後方散乱(RBS)分析が適しているが、申請者が使用出来るRBS分析装置は無い。そのため外部分析委託費を計上する。また、論文印刷費を計上する。

  • Research Products

    (18 results)

All 2012 2011 Other

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (11 results) Remarks (1 results) Patent(Industrial Property Rights) (2 results) (of which Overseas: 1 results)

  • [Journal Article] High quality epitaxial ZnO films grown on solid-phase crystallized buffer layers2012

    • Author(s)
      K. Kuwahara, N. Itagaki
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: Vol. 520 Pages: 4674

    • DOI

      DOI:10.1016/j.tsf.2011.10.136

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Novel fabrication method for ZnO films via nitrogen-mediated crystallization2012

    • Author(s)
      N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, K. Oshikawa
    • Journal Title

      Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

      Volume: vol.8263 Pages: 826303

    • DOI

      DOI:10.1117/12.911971

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Novel fabrication method of ZnO films utilizing solid-phase crystallized seed layers2011

    • Author(s)
      N. Itagaki, K. Kuwahara
    • Journal Title

      Materials Research Society Symposium Proceedings

      Pages: 15-20

    • DOI

      DOI:10.1557/opl.2011.709

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Novel fabrication method for transparent conducting oxide films utilizing solid-phase crystallized seed layers2011

    • Author(s)
      N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara
    • Journal Title

      AIP Conference Proceedings

      Volume: 1393 Pages: 23, 26

    • DOI

      10.1063/1.3653599

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Piezo-electric-field effect MQW solar cells based on novel oxynitride semiconductors2012

    • Author(s)
      N. Itagaki
    • Organizer
      JST-PRESTO International Joint Symposium on Photo-Science Leading to a Sustainable Society: Environment, Energy, Functional Materials
    • Place of Presentation
      慶應義塾大学、横浜
    • Year and Date
      2012.3.27
  • [Presentation] 板垣奈穂, Iping Suhariadi, 桑原和成, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治,窒素添加結晶化バッファー層によるZnO:Al 薄膜の結晶性制御: 窒素供給量の影響2012

    • Author(s)
      板垣奈穂, Iping Suhariadi, 桑原和成, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学、東京
    • Year and Date
      2012.3.17
  • [Presentation] Novel fabrication method for ZnO films via nitrogen-mediated crystallization2012

    • Author(s)
      N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, K. Oshikawa
    • Organizer
      SPIE(international society for optics and photonics) photonics west 2012(招待講演)
    • Place of Presentation
      The Moscone Center, San Francisco, United States of America
    • Year and Date
      2012.1.22
  • [Presentation] 窒素添加結晶化法による高品質酸化亜鉛薄膜の作成とその応用2012

    • Author(s)
      板垣奈穂
    • Organizer
      次世代太陽電池研究会
    • Place of Presentation
      和多屋別荘、嬉野
    • Year and Date
      2012.1.19
  • [Presentation] ZnO:Al薄膜の抵抗率の面内均一性に対する固相結晶化シード層の効果2011

    • Author(s)
      板垣奈穂,桑原和成,中原賢太,山下 大輔,鎌滝晋礼, 内田儀一郎,古閑一憲,白谷正治
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学、山形市
    • Year and Date
      2011.9.2
  • [Presentation] Spatial distribution of resistivity of ZnO:Al thin films fabricated on solid-phase crystallized seed layers2011

    • Author(s)
      N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani
    • Organizer
      E-MRS 2011 Fall MEETING
    • Place of Presentation
      Warsaw University of Technology, Poland
    • Year and Date
      2011.9.19
  • [Presentation] Fabrication of high quality ZnO films via nitrogen-mediated crystallization2011

    • Author(s)
      N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani
    • Organizer
      第24回プラズマ材料科学シンポジウム
    • Place of Presentation
      大阪大学、大阪
    • Year and Date
      2011.7.19
  • [Presentation] Fabrication of highly conducting ZnO:Al films utilizing solid-phase crystallized seed layer2011

    • Author(s)
      N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani
    • Organizer
      E-MRS 2011 SPRING MEETING
    • Place of Presentation
      Congress Center, Nice, France
    • Year and Date
      2011.5.9
  • [Presentation] ZINC OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTING FILMS WITH BUFFER LAYERS FABRICATED VIA NITROGEN-MEDIATED CRYSTALLIZATION2011

    • Author(s)
      N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, and M. Shiratani
    • Organizer
      21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference
    • Place of Presentation
      シーホークホテル、福岡
    • Year and Date
      2011.11.28
  • [Presentation] Low resistive ZnO:Al films with ZnO buffer layers fabricated by Ar/N2 magnetron sputtering2011

    • Author(s)
      N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, K. Oshikawa
    • Organizer
      PLASMA2011 conference
    • Place of Presentation
      石川県立音楽堂、金沢
    • Year and Date
      2011.11.22
  • [Presentation] 窒素添加結晶化法による超均一・低抵抗酸化亜鉛薄膜の作製2011

    • Author(s)
      板垣奈穂,桑原和成,中原賢太,山下 大輔,鎌滝晋礼, 内田儀一郎,古閑一憲,白谷正治
    • Organizer
      第26回九州・山口プラズマ研究会
    • Place of Presentation
      柳川 かんぽの宿、柳川
    • Year and Date
      2011.11.06
  • [Remarks]

    • URL

      http://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/search/details/K003622/research.html

  • [Patent(Industrial Property Rights)] 多重量子井戸型太陽電池及び多重量子井戸型太陽電池の製造方法2012

    • Inventor(s)
      板垣奈穂、白谷正治、内田儀一郎
    • Industrial Property Rights Holder
      板垣奈穂、白谷正治、内田儀一郎
    • Industrial Property Number
      特許: 特願2012-49805
    • Filing Date
      2012年03月06日
  • [Patent(Industrial Property Rights)] ZnO膜の製造方法、透明導電膜の製造方法、ZnO膜、及び透明導電膜2011

    • Inventor(s)
      板垣奈穂、白谷正治、古閑一憲、内田儀一郎、鎌滝晋礼
    • Industrial Property Rights Holder
      板垣奈穂、白谷正治、古閑一憲、内田儀一郎、鎌滝晋礼
    • Industrial Property Number
      特許: PCT/JP2011/069348
    • Filing Date
      2011年08月26日
    • Overseas

URL: 

Published: 2013-07-10  

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