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2012 Fiscal Year Annual Research Report

有機・無機半導体ヘテロ接合の結晶成長と電子構造モデル化

Research Project

Project/Area Number 23760293
Research InstitutionWaseda University

Principal Investigator

西永 慈郎  早稲田大学, 高等研究所, 准教授 (90454058)

Keywords有機・無機ヘテロ界面 / GaAs / フラーレン / 量子ドット / 電子トラップ
Research Abstract

本年度は有機・無機半導体ヘテロ界面の結合についての知見を得るため、GaAs結晶中のフラーレンの電子構造解析を行った。GaAs結晶にC60を添加し、透過電子顕微鏡(TEM)による結晶性評価と、電子エネルギー損失分光法(EELS)によるC60の電子構造解析を行った。TEM像によりC60が高濃度に添加されても、GaAs結晶に転位が一切発生しないことがわかった。EELS測定を行ったところ、炭素1sのエネルギー損失スペクトルが、C60単結晶のエネルギー損失スペクトルとよく一致することを確認した。これはGaAs結晶中に存在するC60の空軌道は活性であることを意味している。つまりC60/GaAsヘテロ界面には化学結合が形成されず、添加されたC60は本来の分子軌道を有していることがわかった。次に、C60添加GaAsのデバイス応用を目指し、GaAs pinダイオードにC60を添加し、ダイオードの動作特性がどのように変調されるかを詳細に調べた。CV測定によりC60電子トラップが負の空間電荷として機能し、空乏層を形成することがわかった。この結果はC60が深い準位として機能していることを示しており、価電子帯から電子をトラップし、正孔を生成することを示す。この結果もC60が中間準位として機能すること示しており、今後はC60電子トラップを中間準位として利用する高感度赤外線フォトダイオードを作製する。フラーレン多価金属複合体薄膜を利用した有機薄膜太陽電池の研究は、劣化試験を行うための真空装置の整備を行った。MBE装置にグローブボックスを接続し、製膜後窒素雰囲気にて太陽光を照射し、出力特性を評価できるようにした。有機薄膜は酸素や水分によって劣化するが、多価金属添加によってこの劣化を防げることを、今後、比較試験を用いて検証する。太陽電池構造の最適化も行い、機械的・化学的強度が高い有機薄膜太陽電池を目指す。

  • Research Products

    (19 results)

All 2013 2012 Other

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (12 results) (of which Invited: 4 results) Book (2 results) Remarks (1 results) Patent(Industrial Property Rights) (2 results)

  • [Journal Article] Crystalline and electrical characteristics of C60 uniformly doped GaAs layers2013

    • Author(s)
      J. Nishinaga
    • Journal Title

      J. Cryst. Growth

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.12.044

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Selective area growth of InAs nanostructures on faceted GaAs microstructure by migration enhanced epitaxy2013

    • Author(s)
      M. Zander
    • Journal Title

      J. Cryst. Growth

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.12.089

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Electrical properties of fullerene doped GaAs pin diodes grown by MBE2013

    • Author(s)
      J. Nishinaga
    • Organizer
      Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
    • Place of Presentation
      Cancun, Mexico
    • Year and Date
      20130610-20130613
    • Invited
  • [Presentation] Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells2013

    • Author(s)
      J. Nishinaga
    • Organizer
      40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • Place of Presentation
      Kobe, Japan
    • Year and Date
      20130519-20130523
  • [Presentation] フラーレン添加GaAs pinダイオードの電気的特性2013

    • Author(s)
      西永慈郎
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] Electronic band structures of fullerene / GaAs heterointerfaces and their applications2013

    • Author(s)
      J. Nishinaga
    • Organizer
      2013 Energy Materials Nanotechnology Meeting
    • Place of Presentation
      Houston, USA
    • Year and Date
      20130107-20130110
    • Invited
  • [Presentation] GaAsの低温MBE成長について2012

    • Author(s)
      西永慈郎
    • Organizer
      結晶成長の数理 第7回研究会
    • Place of Presentation
      学習院大学
    • Year and Date
      20121225-20121226
  • [Presentation] Crystal growth and structural characteristics of fullerene / GaAs interfaces2012

    • Author(s)
      J. Nishinaga
    • Organizer
      Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
    • Place of Presentation
      Orlando, USA
    • Year and Date
      20121211-20121214
    • Invited
  • [Presentation] フラーレン・GaAsヘテロ構造の結晶成長と物性評価2012

    • Author(s)
      西永慈郎
    • Organizer
      第1回結晶工学未来塾
    • Place of Presentation
      学習院大学
    • Year and Date
      20121108-20121108
  • [Presentation] Electrical characteristics of C60 doped GaAs layers grown by MEE2012

    • Author(s)
      J. Nishinaga
    • Organizer
      17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • Place of Presentation
      Nara, Japan
    • Year and Date
      20120923-20120928
  • [Presentation] フラーレン添加GaAs薄膜の光学的特性2012

    • Author(s)
      西永慈郎
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] フラーレン添加GaAs薄膜の結晶学的特性2012

    • Author(s)
      西永慈郎
    • Organizer
      第43回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • Place of Presentation
      東北大学
    • Year and Date
      20120905-20120907
  • [Presentation] Electrical characteristics of C60, Si codoped GaAs layers grown by MEE2012

    • Author(s)
      西永慈郎
    • Organizer
      第31回電子材料シンポジウム
    • Place of Presentation
      修善寺
    • Year and Date
      20120711-20120713
  • [Presentation] Crystal Growth of fullerene/GaAs interfaces and their applications2012

    • Author(s)
      J. Nishinaga
    • Organizer
      2012 Energy Materials Nanotechnology Meeting
    • Place of Presentation
      Orlando, USA
    • Year and Date
      20120416-20120420
    • Invited
  • [Book] Molecular Beam Epitaxy2012

    • Author(s)
      J. Nishinaga
    • Total Pages
      20
    • Publisher
      Elsevier
  • [Book] Crystal Growth: Theory, Mechanism, and Morphology2012

    • Author(s)
      J. Nishinaga
    • Total Pages
      27
    • Publisher
      Nova Science Publishers
  • [Remarks] 早稲田大学研究者データベース

    • URL

      https://www.wnp7.waseda.jp/Rdb/app/ip/ipi0211.html?lang_kbn=0&kensaku_no=4835

  • [Patent(Industrial Property Rights)] 太陽電池2013

    • Inventor(s)
      小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
    • Industrial Property Rights Holder
      小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2013-061464
    • Filing Date
      2013-03-25
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 太陽電池2013

    • Inventor(s)
      小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
    • Industrial Property Rights Holder
      小野満恒二、山口浩司、河原塚篤、藤田実樹、西永慈郎、堀越佳治
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2013-054639
    • Filing Date
      2013-03-18

URL: 

Published: 2014-07-24  

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