2011 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
23860022
|
|---|
| Research Institution | The University of Electro-Communications |
|---|
Principal Investigator |
石橋 孝一郎 電気通信大学, 情報理工学研究科, 教授 (50614038)
|
|---|
| Keywords | マイクロマシン / 電子デバイス / 低消費電力 |
|---|
| Research Abstract |
本研究は、本年度配属された卒業研究生の中で、デバイスの知識に明るい生徒を本研究に割り当てて研究にあたった。
まず、MEMS構造と共振周波数の関係について検討を行い、SOI(Silicon On Insulator)基板を用いた場合、梁の長さ50um,高さ15um、幅4um、先端部の質量4.25×10E-12Kgの形状のMEMSを実現することにより、共振周波数763.7kHzとなることを理論的に明らかにした。
この形状のMEMS共振器を製作するためのフォトマスクを設計製作し完了している。
MEMS共振器の試作は、電気通信大学内にあるクリーンルームとその内部にある、RIE(Reactive Ion Etching)装置を利用して行った。所望の形状のMEMSを得るためには、RIEで幅1um高さ15umのギャップをエッチングする必要があるが、ハードマスクに用いたALのサイドエッチが進むことなどにより、所望の形状のMEMS共振器を得ることが困難な状況になっている。今後、Siの高さを薄くしてMEMS共振器を製作する予定である。
当該年度においては、MEMS共振器を得られていないが、所定の形状により、Si基板を用いて、本研究の第一の目的であるAMラジオ波の周波数に相当する共振周波数のMEMSが取得できる見込みであることを明らかにしており、理論的な検討についての研究成果があった。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
電気通信大学内の研究設備であるRIEが当初考えていたような垂直エッチング性能が得られず、所望のMEMS形状が得られていない。
|
| Strategy for Future Research Activity |
RIE装置の垂直エッチング性能が得られないため、所定のエッチング性能でできるMEMS構造を検討している。発振周波数は所望の周波数とずれるものの、より高い共振周波数のMEMS共振器を製作し、そこに所定の周波数の電圧を導入して共振動作が起こされることを確認する。その後、本研究の最終目的周波数帯となるFMラジオ波と同等の周波数の共振器の構造検討と試作を試みる予定である。
|
