2023 Fiscal Year Comments on the Screening Results

量子井戸混合を用いたIII-V族半導体薄膜光集積回路の基盤技術構築

Research Project

Project/Area Number	23H00172
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	竹中充東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (20451792)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2027-03-31
Summary of the Research Project	光集積回路を志向したIII-V族半導体CMOSフォトニクスプラットフォームを構築しようという研究である。本研究の根底には、リン分子イオン注入を用いた半導体量子井戸混合という独自の技術が盛り込まれており、次世代の光通信技術への応用を目指している。
Scientific Significance and Expected Research Achievements	リン分子イオン注入を用いた量子井戸混合手法を新たに開発し、その物理機構を解明するという学術的意義を有する。また、成果としては、受動導波路、レーザー、光変調器、受光器を一体集積可能な次世代光通信用集積回路プラットフォームの基盤技術の構築が期待される。