シリコンベース高性能スピントランジスタの開発とAIエレクトロニクス技術の創出

2023 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 23H00177
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 中根 了昌 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特任准教授 (50422332)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 田中 雅明 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30192636)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2027-03-31

Summary of the Research Project

本研究は、リアルタイムエッジコンピューティングのためのAIエレクトロニクスの技術革新を志向して、究極のバリスティックスピン伝導効果を有するシリコンスピントランジスタの実現を目指した提案である。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

応募者らが研究を進めてきたシリコンスピントランジスタを高性能化から、その出力特性を用いた積和演算回路を利用した低消費電力情報処理を実現し、複雑なリザバーコンピューティング回路を簡易なものにする原理検証まで行うことになっているため、学術的に重要な提案である。また、研究内容は創造性が豊かであり、優れた研究成果が期待される。