Symmetry-directed Epitaxy Growth of 2D Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides with continuous single crystallinity and ultralow defect density

2023 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 23H00253
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 28:Nano/micro science and related fields
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: トン ヴィンセント 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (50971628)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 長汐 晃輔 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (20373441)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31

Summary of the Research Project

電子デバイス材料として期待される層状化合物（遷移金属カルコゲナイド）の大面積結晶を製膜する方法を開発する研究である。カルコゲナイド薄膜の結晶方位を制御した製膜（symmetry engineering）を計算機シミュレーションと製膜実験の組み合わせによって実現することをめざす。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

この研究が進展することによって、シリコンに変わるデバイスとして利用可能な欠陥密度の少ないカルコゲナイド2次元半導体の育成、さらにはカルコゲナイド半導体の産業応用へ一歩近づくことができる。とくに、基板結晶となる結晶の階段構造（ステップエッジ）をテンプレートとするカルコゲナイド製膜条件の密度汎関数法シミュレーションと、実験による検証をセットとした研究から技術革新の芽が生まれることを期待する。