シングルV/mレベル高性能グラフェン電界センサによる襲雷予測基盤技術の創生

2023 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 23H00256
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 28:Nano/micro science and related fields
• Research Institution: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• Principal Investigator: 水田 博 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授 (90372458)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 郷右近 英臣 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 准教授 (10757777) ; 赤堀 誠志 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 准教授 (50345667) ; KAREEKUNNAN Afsal 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 特任助教 (90910779)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2027-03-31

Summary of the Research Project

広域・高密度な雷雲監視ネットワークを構築する鍵となるV/mレベルの大気電界検出能を有するナノセンサデバイスを開発し、落雷発生の１時間前予測を目指す。グラフェンを高感度の電界センサーとして利用し、落雷発生の前兆となるV/mオーダーの電界変動をフィールド観測する機器を製作、展開し、データ収集を行い、落雷１時間前予測を実現する。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

ナノセンサデバイスは、点欠陥密度を制御したグラフェンキャリアトラップ層を利用した独創性の高い構造となっており高感度センサーの実現が期待される。小型デバイスによる気象観測網により、襲雷の予知が可能となれば避難情報を発出することにより被害を軽減することが可能となり、社会への波及効果が大きい。