誘導ラマン散乱を用いたワイドギャップ半導体のその場３次元計測

2023 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 23H00271
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 小関 泰之 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (60437374)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 前田 拓也 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 講師 (20965694)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2027-03-31

Summary of the Research Project

SiC、GaN等のワイドギャップ半導体で形成されるデバイス内部に電流ストレスにより引き起こされる結晶欠陥のダイナミクスおよび機構を明らかにするために、応募者が開発した誘導ラマン散乱顕微鏡に対してパルスレーザー光源を開発して、従来の生体イメージングに活用していたシステムを半導体計測に最適化する研究計画となっている。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

誘導ラマン散乱顕微鏡法による高速イメージングで培った技術を産業的に重要なワイドギャップ半導体へ拡張し、半導体内部の欠陥・キャリア密度の3次元評価を可能にすることで半導体結晶の品質のみならず、デバイス動作時の欠陥形成ダイナミクスの解明まで期待できる。学術的にも産業的にも重要であり、波及効果の高い研究計画である。