OVPE法による口径拡大・超厚膜GaNインゴット作製技術

2023 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 23H00275
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
• Research Institution: The University of Osaka
• Principal Investigator: 森 勇介 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90252618)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 今西 正幸 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00795487) ; 宇佐美 茂佳 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (30897947)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31

Summary of the Research Project

GaN自立ウエハはGaNを用いたトランジスタの普及に必要不可欠であるが、現在までに提案されているGaNバルク育成法においてGaN結晶が六角錘状に成長して口径が縮小していく大きな問題がある。研究代表者らは、酸化ガリウムを原料とするオキサイド気相成長法における3次元成長モードとウェハ端面の無極性面成長を利用することで、GaN結晶の錘状化を抑制し、高品質・超厚膜インゴットの製作を実証する。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

酸化ガリウムを原料とするオキサイド気相成長において、無極性面成長の発現を見出し、特異的な3次元成長モードを用いることにより、従来より問題になっていたGaNの口径縮小の問題を解決し、口径拡大したGaNインゴットを作製可能になることが期待される。また、高温・高水素分圧条件でのプロセスの導入により、高品質なGaN高速成長も期待される。