誤り耐性型量子コンピューターに向けたアモルファス超伝導回路の創生

2023 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 23K17354
• Research Category: Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Medium-sized Section 29:Applied condensed matter physics and related fields
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: 原田 尚之 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 独立研究者 (90609942)
• Project Period (FY): 2023-06-30 – 2026-03-31

Summary of the Research Project

高度な誤り耐性型量子コンピューターの実現を目指し、多量子ビット化を可能にする「高いQ値」、「大面積化」、「3D集積」に有利な新しい材料の開発を目指す研究である。従来広く注目されてきた高いQ値を実現する上で有利な単結晶エピタキシャル構造ではなく、大面積化、3D集積に有利なアモルファス材料に着目し、その高Q値化を目指している。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

量子コンピューターの多量子ビット化を可能にする材料として、アモルファス材料に注目する点が新規性と独自性に富んでいる。また、本来アモルファス材料では不利と考えられてきた高いQ値を実現するために、絶縁体材料や超伝導体材料の特徴や性質を検討し、それらを生かそうとする点が学術的に意義深い。本研究の成功により誤り耐性型量子コンピューターの技術に革新的なブレイクスルーがもたらされると期待される。