2022 Fiscal Year Annual Research Report
擬単結晶化合物発電層の創製および高靭性を有す太陽電池設計と曲げ特性の理解
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22H01531
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
西村 昂人 東京工業大学, 工学院, 助教 (80822840)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山田 明 東京工業大学, 工学院, 教授 (40220363)
峯元 高志 立命館大学, 理工学部, 教授 (80373091)
久野 恭平 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (30822845)
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| Project Period (FY) |
2022-04-01 – 2026-03-31
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| Keywords | 格子歪 / エピタキシャル成長 / 両面受光太陽電池 / 剥離技術 / ヤング率 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本年度は，平坦性を有するCu(In,Ga)Se2/MoSe2/Mo積層構造を実現するための要素技術の開発に取り組んだ．
単結晶サファイア基板を用いることにより，従来のガラス基板上で形成されたMo薄膜より高い平坦性を有したMo薄膜が得られることを見出した．さらに，このMo薄膜上に，分子線エピタキシー装置を用いた多元同時蒸着法によりCu(In,Ga)Se2を形成することで，MoとCu(In,Ga)Se2との構造界面においてMoSe2層状物質が自然形成されることが明らかとなった．これは，Cu(In,Ga)Se2の成長過程において，Mo金属表面でセレン化反応が進行したことを示すものである．
以上の検討を通じて，従来より高い平坦性を有したCu(In,Ga)Se2/MoSe2/Mo積層構造を実現することができた．
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
高い平坦性を有するCu(In,Ga)Se2/MoSe2/Mo積層構造を実現しており，計画通りに研究を遂行しているため．
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| Strategy for Future Research Activity |
面外方向に未結合手を伴わないMoSe2層状物質上で形成されたCu(In,Ga)Se2結晶の膜中応力と格子歪について議論し，Cu(In,Ga)Se2膜の高品質化を目指す．また，高平坦性および均一性を有した積層構造を用いることにより，素子剥離法の高い再現率と更なる性能保持率の向上を期待する．
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