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2022 Fiscal Year Annual Research Report

Science of Inch-Diameter Diamond Heteroepitaxial Growth on Lattice-Mismatched Substrate

Research Project

Project/Area Number 22H01974
Allocation TypeSingle-year Grants
Research InstitutionSaga University

Principal Investigator

嘉数 誠  佐賀大学, 理工学部, 教授 (50393731)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) SAHA・NILOY CHANDRA  佐賀大学, 理工学部, 助教 (20933089)
高橋 和敏  佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 教授 (30332183)
大石 敏之  佐賀大学, 理工学部, 教授 (40393491)
Project Period (FY) 2022-04-01 – 2025-03-31
Keywordsダイヤモンド
Outline of Annual Research Achievements

①「結晶格子の異なる基板上にバッファ層とダイヤ層がエピ成長する機構」堆積後のIrバッファ層表面は、原子レベルで平坦な表面であったが、バイアス促進核形成(BEN)処理後は、畝構造になり、溝の下部からダイヤ三次元島が成長し、島が合体し、層成長に移っていく過程をAFMで観察し、成長機構を提案した。
②「ダイヤヘテロエピ成長層中の転位、欠陥の発生と伝搬機構」転位をX線回折やTEM観察で調べ、転位は刃状型であり、転位密度は1.4x107cm-2でありヘテロエピタキシャルダイヤモンドでは世界最高品質を確認した。
③-1「ダイヤヘテロエピ膜とバッファ層の残留応力、結晶の反り、クラック抑制の機構の解明」様々な成長時間のダイヤ核が成長した構造で、ダイヤの核生成・合体、層成長の過程をX線回折、AFMで観察し、MgO基板上と比較を行った。サファイア基板上の方が、成長早期にひずみが緩和されることがわかった。ダイヤモンドの残留ひずみの発生は、基板材料とダイヤモンドの熱膨張率差で説明できることを明らかにした。
③-2「オフ基板によるダイヤの応力緩和とクラック抑制の機構」傾斜したサファイア基板を用いるとXRC FWHMが狭くなり、結晶の反りが小さくなり、応力緩和を示唆する実験結果を得たが、out-of-planeとin-planeのX線回折測定を行い、MgO基板と比較し、サファイア基板上の方がIr層の圧縮ひずみ、ダイヤモンド層の引張歪の大きさは緩和されることが分かった。
④「デバイス特性に影響を与えるダイヤヘテロエピ膜の結晶品質」異なる品質のダイヤ膜上にFETを作製し、XRCの半値幅とFET特性との相関を調べ、結晶が高品質なほどFET特性に優れていることが示唆された。世界最高の出力電力875MW/cm2、出力電圧3659Vを達成した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

計画通り実験の方は進捗している。MgO基板上ダイヤモンドとの比較は、H5年度の計画であったが、1年前倒しで実験結果が得られた。

Strategy for Future Research Activity

予定通りH5年度の研究項目の研究を進めていく予定である。
ダイヤモンドで企業との共同研究がH4年度で終了することになった。H5年度からは、別の企業からの協力を得て、研究を進めていくと共に、自前で一部の試料を用意することで、遅滞なく進めていけるようにする

  • Research Products

    (57 results)

All 2023 2022 Other

All Journal Article (12 results) (of which Peer Reviewed: 12 results) Presentation (42 results) (of which Int'l Joint Research: 18 results,  Invited: 13 results) Book (1 results) Remarks (2 results)

  • [Journal Article] 3659-V NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates2023

    • Author(s)
      Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu
    • Journal Title

      IEEE Electron Dev. Lett.

      Volume: 44 Pages: 112

    • DOI

      10.1109/LED.2022.3226426

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio2023

    • Author(s)
      Niloy Chandra Saha , Yuya Irie, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi,
    • Journal Title

      IEEE Electron Dev. Lett.

      Volume: 44 Pages: 293 - 296

    • DOI

      10.1109/LED.2022.3232589

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Characterization of dislocation of halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography and its influence on Schottky barrier diodes2023

    • Author(s)
      Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata and Makoto Kasu
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 62 Pages: SF1001

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acb0b8

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure2023

    • Author(s)
      Yuhei Seki, Niloy Chandra Saha, Seiya Shigematsu, Yasushi HOSHINO, Jyoji Nakata, Toshiyuki Oishi and Makoto Kasu
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 62 Pages: 040902

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acc70d

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs2023

    • Author(s)
      Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
    • Journal Title

      IEEE Electron Device Letters

      Volume: 44 Pages: 793-796

    • DOI

      10.1109/LED.2023.3261277

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] High Crystal Quality of Vertical Bridgman and Edge-defined Film-fed Growth-Grown β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-ray Diffraction and Synchrotron X-ray Topography2022

    • Author(s)
      Muhidul Islam Chaman, Keigo Hoshikawa, Sayleap Sdoeung, and Makoto Kasu
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 61 Pages: 055501

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac55e3

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Structural characterization of defects in EFG- and HVPE-grown beta-Ga2O3 crystals2022

    • Author(s)
      Osamu Ueda, Makoto Kasu, Hirotaka Yamaguchi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 61 Pages: 050101

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac4b6b

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs2022

    • Author(s)
      N. C. Saha, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu
    • Journal Title

      IEEE Electron Device Letters

      Volume: 43 Pages: 777

    • DOI

      10.1109/LED.2022.3164603

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Growth of high-quality inch-diameter heteroepitaxial diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates2022

    • Author(s)
      M. Kasu, R. Takaya, S. -W. Kim
    • Journal Title

      Diamond and Related Materials

      Volume: 126 Pages: 109086

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2022.109086

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs2022

    • Author(s)
      Niloy Chandra Saha , Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu
    • Journal Title

      IEEE Electron Dev. Lett

      Volume: 43 Pages: 1303

    • DOI

      10.1109/LED.2022.3181444

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Initial growth mechanism of high-quality CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate2022

    • Author(s)
      Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, and Seong-Woo Kim
    • Journal Title

      Diamond and Related Materials

      Volume: 128 Pages: 109287

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2022.109287

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Identification of dislocation responsible for leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes investigated via ultrahigh-sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography2022

    • Author(s)
      Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
    • Journal Title

      Appl. Phys. Express

      Volume: 15 Pages: 111001

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac9726

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化2023

    • Author(s)
      嘉数 誠
    • Organizer
      技術情報協会(招待)、東京、2023年1月16日
    • Invited
  • [Presentation] パワー半導体に向けたダイヤモンドFETとインチ径ダイヤウェハの最近の進展2023

    • Author(s)
      ]嘉数 誠
    • Organizer
      電子通信情報学会総合大会(招待)CI-4-4、さいたま、2023年3月9日
    • Invited
  • [Presentation] ダイヤモンドMOSFETの高速(<10ns)スイッチング動作2023

    • Author(s)
      白土智基・Niloy Saha・Seongwoo Kim・・大石敏之・嘉数 誠
    • Organizer
      電子通信情報学会総合大会C-10-6、さいたま、2023年3月9日
  • [Presentation] ダイヤモンドMOSFETの長時間(190h)ストレス特性2023

    • Author(s)
      白土智基・Niloy Saha・Seongwoo Kim・小山浩司・大石敏之・嘉数 誠
    • Organizer
      電子通信情報学会総合大会C-10-7、さいたま、2023年3月9日
  • [Presentation] ダイヤモンド半導体-Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体-2023

    • Author(s)
      嘉数 誠
    • Organizer
      日本学術会議(招待)、佐賀、2023年3月14日
    • Invited
  • [Presentation] Misorientation Angle of Heteroepitaxial Diamond on Sapphire Misoriented Substrate2023

    • Author(s)
      JACQUES DAGBETO, Koji Koyama, Seongwoo Kim, Makoto Kasu
    • Organizer
      15a-A408-8、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日
  • [Presentation] 高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンX 線トポグラフィーによるHVPE (001) β型酸化ガリウムSBD のリーク電流の起源になるキラー欠陥の同定2023

    • Author(s)
      Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Makoto Kas
    • Organizer
      15p-E102-15、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日
  • [Presentation] (011)面方位 HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンX線トポグラフィによるキラー欠陥の同定2023

    • Author(s)
      大坪 優斗、スダーン セイリープ、佐々木 公平、倉又 朗人、嘉数 誠
    • Organizer
      15p-E102-16、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日
  • [Presentation] ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器のα線特性2023

    • Author(s)
      入江 優雅, 人見啓太朗, 野上光博,金 聖祐,小山浩司,ニロイ チャンドラ サハ, 嘉数 誠
    • Organizer
      16a-D311-10, 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月16日
  • [Presentation] ダイヤモンドMOSFET の高速(<10ns)スイッチング特性2023

    • Author(s)
      ニロイ チャンドラ サハ, 白土智基,金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠
    • Organizer
      17a-A301-8、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月17日
  • [Presentation] ダイヤモンドMOSFET の長時間(190h)ストレス測2023

    • Author(s)
      ニロイチャンドラサハ, 白土智基,金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠
    • Organizer
      17a-A301-9、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月17日
  • [Presentation] 未来型ダイヤモンド半導体の実用化に向けて―佐大から宇宙へ―2023

    • Author(s)
      嘉数 誠
    • Organizer
      TSUNAGIシンポジウム(招待)、佐賀、2023年3月18日
    • Invited
  • [Presentation] Present status of Diamond Semiconductors2023

    • Author(s)
      Makoto Kasu
    • Organizer
      次世代グリーンパワー技術における最先端研究、(招待)、横浜、2023年3月22日
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] ダイヤモンド半導体-Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体-2023

    • Author(s)
      嘉数 誠
    • Organizer
      電子情報産業協会(JEITA)電気部品委員会機構(招待)、オンライン、2023年3月24日
    • Invited
  • [Presentation] Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs2022

    • Author(s)
      Makoto Kasu, Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, and Niloy Saha Chandra,
    • Organizer
      Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, EQ01.16.06, On-line, May 8, 2022.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET2022

    • Author(s)
      Niloy Chandra Saha, Seong Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu
    • Organizer
      15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2022), Kanazawa, June 6-9, 2022.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 875 MW/cm2 2568 V 0.68 A/mm NO2 P-type Doped Diamond MOSFETs2022

    • Author(s)
      N. C. Saha, S-W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu
    • Organizer
      15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2022), Kanazawa, June 6-9, 2022.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題2022

    • Author(s)
      嘉数 誠
    • Organizer
      化学工学会CVD反応分科会
    • Invited
  • [Presentation] 究極のパワー半導体『ダイヤモンド』2022

    • Author(s)
      嘉数 誠
    • Organizer
      佐賀県高校科学部研修会(招待)、佐賀、2022年8月20日
    • Invited
  • [Presentation] Two-inch diamond wafer with high FOM for use in MOSFET2022

    • Author(s)
      Makoto Kasu, Seoeng-Woo Kim
    • Organizer
      14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022), (Invited) Aug 29- Sep 1, 2022.
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping2022

    • Author(s)
      N. C. Saha, Irie, Seki, Nakata, Hoshino, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu
    • Organizer
      32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs2022

    • Author(s)
      Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, and Toshiyuki Oishi,
    • Organizer
      32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Growth mechanism of high-quality inch-diameter diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates2022

    • Author(s)
      Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, and Seong-Woo Kim
    • Organizer
      32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer2022

    • Author(s)
      M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi
    • Organizer
      32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] ダイヤモンドパワー半導体デバイスの作製とデバイス応用に向けた課題2022

    • Author(s)
      嘉数 誠
    • Organizer
      技術情報協会 (招待) 2022年9月15日
    • Invited
  • [Presentation] ダイヤモンドパワー半導体デバイス2022

    • Author(s)
      嘉数 誠
    • Organizer
      菱実会 (招待) 2022年9月17日
    • Invited
  • [Presentation] 傾斜サファイア基板上に成長したダイヤモンドウェハの高品質化2022

    • Author(s)
      ジャック ダグベト, 小山浩司, 嘉数 誠,金 聖祐
    • Organizer
      秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20-23日
  • [Presentation] ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の作製2022

    • Author(s)
      入江優雅, 人見啓太朗, 野上光博, 中山 隼,金 聖祐,小山浩司,ニロイ チャンドラ サハ, 嘉数 誠
    • Organizer
      秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20-23日
  • [Presentation] インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程-サファイア基板とMgO基板の比較-2022

    • Author(s)
      眞崎 瞭,高谷亮太,小山浩司,金 聖祐,嘉数 誠
    • Organizer
      秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20-23日
  • [Presentation] B イオン注入のみで作製した ダイヤモンドショットキーバリアダイオード2022

    • Author(s)
      関 裕平 ,重松誠也, 大石敏之, 嘉数 誠, 星野 靖, 中田穣治、
    • Organizer
      秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20-23日
  • [Presentation] 3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET2022

    • Author(s)
      ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠
    • Organizer
      秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20-23日
  • [Presentation] Diamond Semiconductor; Inch‐Wafer Growth and Power FET Technologies2022

    • Author(s)
      Makoto Kasu
    • Organizer
      The 54th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022) Short Course (Invited), Makuhari, Sep 26, 2022
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Dislocation Responsible for Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBD Observed by Emission Microscopy and Synchrotron X-ray Topography2022

    • Author(s)
      Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
    • Organizer
      The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23-27, 2022
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] High Quality Vertical Bridgman and Edge-Defined Film-Fed Growth β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-Ray Diffraction and Synchrotron X-Ray Topography2022

    • Author(s)
      Muhidul Islam Chaman, Keigo Hoshikawa, Sayleap Sdoeung, and Makoto Kasu
    • Organizer
      The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23-27, 2022
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Crystal Defects and Lattice Constants of High-Quality β-Ga2O3 Edge-Defined Film-Fed Grown Single Crystals Studied by Synchrotron X-ray Topography and High-Resolution X-Ray Diffractions2022

    • Author(s)
      Muhidul Islam Chaman, Sayleap Sdoeung, and Makoto Kasu
    • Organizer
      The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23-27, 2022
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Microstructural Characterization of β-Ga2O3 Crystals by Photoluminescence Mapping Measurements2022

    • Author(s)
      K. Shoji, M. Nakanishi, M. Kasu, T. Yamaguchi, T. Honda, K. Sasaki, A. Kuramata, and T. Onuma
    • Organizer
      The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nagano, October 23-27, 2022
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム-サファイア基板とMgO基板の比較-2022

    • Author(s)
      嘉数 誠,眞崎 瞭,高谷亮太,小山浩司,金 聖祐
    • Organizer
      第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)、2022年10月31日-11月2日
  • [Presentation] インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程の観察-サファイア基板とMgO基板の比較-2022

    • Author(s)
      嘉数 誠,眞崎 瞭,高谷亮太,小山浩司,金 聖祐
    • Organizer
      第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)、2022年10月31日-11月2日
  • [Presentation] Recent progress of NO2 p-type doped diamond MOSFET and heteroepitaxial diamond wafer technologies2022

    • Author(s)
      Makoto Kasu, Seong-Woo Kim
    • Organizer
      The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022 (APWS2022), Taoyuan, Taiwan, November 13-18, 2022
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Defects responsible for leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography2022

    • Author(s)
      Makoto Kasu, Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, and Akito Kuramata
    • Organizer
      The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022 (APWS2022), Taoyuan, Taiwan, November 13-18, 2022
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates2022

    • Author(s)
      Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
    • Organizer
      The 2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 27- Dec. 2, 2022, Boston
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Growth process of high-quality 2-in-diameter CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate2022

    • Author(s)
      Makoto Kasu, Ryo Masaki, Koji Koyama, and Seong-Woo Kim
    • Organizer
      The 2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 27- Dec. 2, 2022, Boston
    • Int'l Joint Research
  • [Book] 次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術2022

    • Author(s)
      嘉数 誠
    • Total Pages
      15
    • Publisher
      S&T出版
    • ISBN
      978-4-907002-93-0
  • [Remarks] 研究室のホームページ

    • URL

      http://www.ee.saga-u.ac.jp/pelab/

  • [Remarks] 研究室のホームページ(英語)

    • URL

      http://www.ee.saga-u.ac.jp/pelab/index-en.html

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Published: 2023-12-25  

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