2023 Fiscal Year Annual Research Report
二次元物質とシリコンを用いたヘテロエレクトロニクスの創出
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23H01457
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
岡田 直也 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (10717234)
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| Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| Keywords | ヘテロ接合 / 二次元 / シリコン / MOS / 仕事関数 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
R5年度は、二次元物質として層状物質のSb2Te3を対象とし、Sb2Te3とSiのヘテロ接合を作製し、その接合特性を調べた。電流―電圧測定から、Sb2Te3/n-Siヘテロ接合はオーミック特性を示し、Sb2Te3/p-Siヘテロ接合は障壁高さ0.77eVの整流特性を示した。Sb2Te3を金属電極としたMOSキャパシタンスの容量―電圧測定から、Sb2Te3は4.44eVの実効仕事関数を持つことが分かった。これらの結果は、Sb2Te3/Siヘテロ接合では、伝導帯端で低いオフセットを持つことを示す。これらの研究成果について、論文１件採択、特許１件出願、国際会議1件発表を行った。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
当初の計画通り、Sb2Te3とSiのヘテロ接合を作製し、この接合の電気的な接合特性を明らかにした。
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| Strategy for Future Research Activity |
R6年度は、二次元物質の対象として、MoS2に着目し、シリコン上のMoS2成膜、MoS2上のシリコン成膜に取り組み、二次元物質とシリコンのヘテロ接合作製に挑戦する。さらに、MoS2上酸化物の成膜にも取り組み、MoS2上への3次元物質のヘテロエピタキシャル成長にも挑戦する。また、シリコン上への2次元遷移金属シリサイドエピタキシャル成長にも取り組む予定である。
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