• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2013 Fiscal Year Annual Research Report

L10合金/ホイスラー合金積層電極を用いた高出力・低消費電力磁気抵抗素子の創製

Research Project

Project/Area Number 24246002
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

大兼 幹彦  東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (50396454)

Project Period (FY) 2012-04-01 – 2015-03-31
Keywordsスピンエレクトロニクス
Research Abstract

今年度は、MnAl層の磁気特性および表面平坦性の改善を目的として、組成、基板温度(Ts)、熱処理温度の最適化を行った。その結果、最適条件はArガス圧0.5 Pa、Mn組成56.9 at%、Ts = 250°Cであることが分かった。最適条件下において、MnAl層の飽和磁化Ms = 530 emu/cm3、磁気異方性エネルギーKu = 約10 Merg/cm3、表面平均粗さRa = 0.21 nmであり、前年度よりもさらに良質な薄膜を得ることに成功した。
さらに、最適化したMnAlの作製条件を用い、またMnAl/MgO界面に極薄強磁性体(X)を挿入したMnAl/X/MgO/CoFe構造の強磁性トンネル接合素子(MTJ)においてTMR効果を観測することに成功した。MnAlを電極に用いたMTJでTMR効果を観測したのは本研究が世界初である。TMR比は室温において約8%であったが、MTJ素子において磁気抵抗効果が観測されたことから、CPP-GMR素子への応用が可能であることが明らかとなった。
CPP-GMR素子については、今年度はホイスラー合金層の組成依存性について調査を行った。Co2MnSi, Co2(Fe0.4Mn0.6)Si, Co2FeSi, Co2Fe(Al0.5Si0.5)組成の電極を用いたCPP-GMR素子を作製し、磁気抵抗比を評価した。その結果、Co2(Fe0.4Mn0.6)Si組成において最大の磁気抵抗比が得られることが分かった。この組成で磁気抵抗比が大きかった要因は、ハーフメタル特性が優れていることによると考えられる。また、この組成は磁気緩和定数が0.003と非常に小さく、最終目標であるスピン注入磁化反転の実現に対しても非常にアドバンテージが大きい。さらに今年度は、Co2(Fe0.4Mn0.6)Siを良好な磁気特性を保持したまま、2 nmまで薄膜化することに成功した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

今年度の目標は、(1)L10-MnAl合金薄膜において薄膜の高品質化をおこなうこと、(2)L10-MnAl薄膜を用いた磁気抵抗素子を作製すること、(3)前年度に引き続きCPP-GMR素子の作製条件等を最適化すること、(4)MnAl/Co2(FeMn)Si積層膜を作製することであった。
L10-MnAl合金薄膜の作製については、系統的な実験によってほぼ最適条件に近づけたと考えている。また、最適化したMnAl電極を用いた強磁性トンネル接合において、世界で始めた磁気抵抗効果を観測することに成功した。これは、MnAl膜の高品質化によるものである。この成果については、論文発表を行い、また招待講演などでも広くアピールすることができた。今後、磁気抵抗素子においてさらに良好な特性を得るための、積層界面制御が残された課題である。
CPP-GMR素子については、ハーフメタルホイスラー合金層の組成に関して詳細に調査を行った。その結果、磁気抵抗効果は組成に対して大きく変化し、従来から良く知られているCo2MnSiホイスラー合金にFeをドープした、Co2(Fe0.4Mn0.6)Siホイスラー合金において大きな磁気抵抗効果が得られることが明らかとなった。この研究発表の後、他グループからも同様の実験結果が報告されており、この組成のホイスラー合金材料が高磁気抵抗比を得るのに極めて有用であることが証明されている。また、Co2(FeMn)Siホイスラー合金は磁気緩和定数の評価結果により、その値が0.003と非常に小さく、また薄膜化に対しても有用性の高い材料であることが明らかとなった。以上のことから、最終目標であるMnAl/Co2(Fe0.4Mn0.4)Si積層電極を用いた磁気抵抗素子の創成に向けて非常に有望な結果が得られており、研究は順調に進んでいるといえる。

Strategy for Future Research Activity

本研究の最終目的は、10ナノメートル以下の超微少サイズで利用可能な磁化の熱揺らぎ耐性を有しつつ、かつ、高出力および超低消費電力動作を実現するための、L10合金/ホイスラー合金積層電極を用いた面直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR) 素子の創製である。24~25年度において、MnAl単層膜において、垂直磁気異方性定数が1×107 erg/cc以上、磁気緩和定数が0.01以下となる高性能材料を得ることには既に成功した。また、表面平坦性の改善により、磁気抵抗効果の観測に成功した。最終年度はMnAl垂直薄膜上に,Co2(Fe0.4Mn0.4)Siホイスラー合金層を積層した電極を用いたCPP-GMR素子を作製する。想定している層構成はMgO sub./Cr(30 nm)/Ag(30 nm)/MnAl(2 nm)/Co2(Fe0.4Mn0.6)Si (d nm)/Ag/ Co2(Fe0.4Mn0.6)Si (d nm)/MnAl(20 nm)/Ta(5 nm) (d = 2~4 nm)である。これまでに蓄積した素子作製技術を用いることで、高品位な素子が形成できると考えられる。最終的な目標として、高出力および超低消費電力動作のために、CPP-GMR素子において、室温における磁気抵抗比100%以上、および、スピン注入磁化反転電流密度1×106 A/cm2以下を実現することを掲げている。非常に高い目標であるが、これまでの2年間の成果をベースとし、さらに技術を発展させることで、目標を実現したいと考えている。さらに、基礎的なデータとしてMnAl/Co2(FeMn)Si積層膜の界面構造および磁気特性、磁気緩和定数の評価を系統的に行い、得られた素子特性に対するメカニズム考察や、将来の素子開発の指針を明確化することが最終年度の目標として、非常に重要と考えている。

  • Research Products

    (24 results)

All 2014 2013

All Journal Article (15 results) (of which Peer Reviewed: 15 results,  Acknowledgement Compliant: 2 results) Presentation (8 results) (of which Invited: 1 results) Book (1 results)

  • [Journal Article] Static and dynamic magnetic properties of cubic Mn-Co-Ga Heusler films2014

    • Author(s)
      A.S. Demiray, T. Kubota, S. Iihama, S. Mizukami, T. Miyazaki, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando
    • Journal Title

      J. Appl. Phys

      Volume: 115 Pages: 17D133_1-3

    • DOI

      10.1063/1.4864250

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Tunnel magnetoresistance effect using perpendicularly magnetized tetragonal and cubic Mn-Co-Ga Heusler alloy electrode2014

    • Author(s)
      T. Kubota, S. Mizukami, Q.L. Ma, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki
    • Journal Title

      J. Appl. Phys

      Volume: 115 Pages: 17C704_1-3

    • DOI

      10.1063/1.4855016

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Half-metal CPP GMR sensor for magnetic recording2014

    • Author(s)
      Z. Diao, M. Chapline, Y. Zheng, C. Kaiser, A.G. Roy, C.J. Chien, C. C. Shang, Y. Ding, C. Yang, D. Mauri, Q. Leng, M. Pakala, M. Oogane, Y. Ando
    • Journal Title

      J. Magn. Magn. Mat.

      Volume: 356 Pages: 73-81

    • DOI

      10.1016/j.jmmm.2013.12.050

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Observation of Precessional Magnetization Dynamics in L10-FePt Thin Films with Different L10 Order Parameter Values2013

    • Author(s)
      Satoshi Iihama, Shigemi Mizukami, Nobuhito Inami, Takashi Hiratsuka, Gukcheon Kim, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Terunobu Miyazaki, and Yasuo Ando
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 52 Pages: 073002-1-4

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.073002

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] The Enhancement of Magnetic Damping in Fe4N Films with Increasing Thickness2013

    • Author(s)
      Shinji Isogami, Masakiyo Tsunoda, Mikihiko Oogane, Akimasa Sakuma, and Migaku Takahashi
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 52 Pages: 073001-1-3

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.073001

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Fabrication of L10-Ordered MnAl Films for Observation of Tunnel Magnetoresistance Effect2013

    • Author(s)
      Haruaki Saruyama, Mikihiko Oogane, Yuta Kurimoto, Hiroshi Naganuma, and Yasuo Ando
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 52 Pages: 063003-1-4

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.063003

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Detection of Sub-Nano-Tesla Magnetic Field by Integrated Magnetic Tunnel Junctions with Bottom Synthetic Antiferro-Coupled Free Layer2013

    • Author(s)
      Kosuke Fujiwara, Mikihiko Oogane, Takuo Nishikawa, Hiroshi Naganuma, and Yasuo Ando
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 52 Pages: 04CM07-1-3

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.04CM07

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Fabrication of Magnetic Tunnel Junctions with Amorphous CoFeSiB Ferromagnetic Electrode for Magnetic Field Sensor Devices2013

    • Author(s)
      Daiki Kato, Mikihiko Oogane, Kosuke Fujiwara, Takuo Nishikawa, Hiroshi Naganuma, and Yasuo Ando
    • Journal Title

      Appl. Phys. Express

      Volume: 6 Pages: 103004-1-3

    • DOI

      10.7567/APEX.6.103004

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Enhancement of Spin Pumping Efficiency in Fe4N/Pt Bilayer Films2013

    • Author(s)
      Shinji Isogami, Masakiyo Tsunoda, Mikihiko Oogane, Akimasa Sakuma, and Migaku Takahasi
    • Journal Title

      Appl. Phys. Express

      Volume: 6 Pages: 063004-1-4

    • DOI

      10.7567/APEX.6.063004

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] The role of structure on magneto-transport properties of Heusler Co2MnSi films deposited on MgO(001)2013

    • Author(s)
      N. Tal, D. Mogilyanski, A. Kovacs, H. Naganuma, S. Tsunegi, M. Oogane, Y. Ando and A. Kohn
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 114 Pages: 163904-1-3

    • DOI

      10.1063/1.4826908

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Tunneling magnetoresistance effect in MnGa based perpendicular magnetic tunnel junction with Fe/Co interlayer2013

    • Author(s)
      Qinli Ma, Shigemi Mizukami, Takahide Kubota, Xianmin Zhang, Atsushi Sugihara, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando and Terunobu Miyazaki
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 114 Pages: 163913-1-3

    • DOI

      10.1063/1.4828483

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Interface tailoring effect on magnetic properties and their utilizations in MnGa-basedperpendicular magnetic tunnel junctions2013

    • Author(s)
      Q. L. Ma, T. Kubota,S. Mizukami, X. M. Zhang, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, and T. Miyazaki
    • Journal Title

      Phys. Rev. B

      Volume: 87 Pages: 184426-1-6

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.87.184426

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Magnetoresistance Enhancement in MnxGa100-x/MgO/CoFeB perpendicular magnetic tunnel junctions by using CoFeB interlayer2013

    • Author(s)
      Q. L. Ma, T. Kubota, S. Mizukami, X. M. Zhang, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando, and T. Miyazaki
    • Journal Title

      IEEE Trans. Magn.

      Volume: 49 Pages: 4339-4342

    • DOI

      10.1109/TMAG.2013.2242861

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Magnetic tunnel junctions of perpendicularly magnetized L10 MnGa/Fe/MgO/CoFe structures: Fe-layer-thickness dependences of magnetoresistance effect and tunneling conductance spectra2013

    • Author(s)
      T Kubota, Q. L. Ma, S. Mizukami, X. M. Zhang, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, and T. Miyazaki
    • Journal Title

      J. Phys. D

      Volume: 46 Pages: 155001-1-7

    • DOI

      10.1088/0022-3727/46/15/155001

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Nonlinear Emission of Spin-Wave Caustics from an Edge Mode of a Microstructured Co2Mn0:6Fe0:4SiWaveguide2013

    • Author(s)
      T. Sebastian, T. Bracher, P. Pirro, A. A. Serga, B. Hillebrands, T. Kubota H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando
    • Journal Title

      Phys. Rev. Lett.

      Volume: 110 Pages: 067201-1-3

    • DOI

      10.1103/PhysRevLett.110.067201

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] プラズマ酸化によるMgO障壁層を用いたCo2Fe0.4Mn0.6Si電極強磁性トンネル接合の作製2013

    • Author(s)
      森廣 智之,大兼 幹彦,永沼 博,安藤 康夫
    • Organizer
      第68回応用物理学会東北支部学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      20131205-20131206
  • [Presentation] 垂直磁化MnAlを用いた強磁性トンネル接合の作製2013

    • Author(s)
      猿山陽鏡,栗本雄太,大兼幹彦,永沼博,安藤康夫
    • Organizer
      第68回応用物理学会東北支部学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      20131205-20131206
  • [Presentation] L10-MnAl/Co多層膜の結晶構造と磁気特性2013

    • Author(s)
      栗本雄太、猿山陽鏡、大兼幹彦,永沼博,安藤康夫
    • Organizer
      第68回応用物理学会東北支部学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      20131205-20131206
  • [Presentation] ホイスラー合金電極を用いたSi基板上への強磁性トンネル接合素子の作製2013

    • Author(s)
      斉琦,大兼幹彦,永沼博,安藤康夫
    • Organizer
      第68回応用物理学会東北支部学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      20131205-20131206
  • [Presentation] プラズマ酸化によるMgO障壁層を用いたCo2Fe0.4Mn0.6Si電極強磁性トンネル接合の作製2013

    • Author(s)
      森廣 智之,大兼 幹彦,永沼 博,安藤 康夫
    • Organizer
      第74回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      京都
    • Year and Date
      20130916-20130920
  • [Presentation] Fabrication of Magnetic Tunnel Junctions Using L10-ordered MnAl Films2013

    • Author(s)
      M. Oogane, H. Saruyama, Y. Kurimoto, H. Naganuma, and Y. Ando
    • Organizer
      EMS32
    • Place of Presentation
      Shiga
    • Year and Date
      20130710-20130712
  • [Presentation] Magnetic tunnel junctions with perpendicularly magnetized L10-ordered MnAl electrode2013

    • Author(s)
      M. Oogane, H. Saruyama, Y. Kurimoto, H. Naganuma and Y. Ando
    • Organizer
      JSPS York-Tohoku Research Symposium on“Magnetic Materials and Spintronic devices”
    • Place of Presentation
      York, UK
    • Year and Date
      20130610-20130610
    • Invited
  • [Presentation] Perpendicularly magnetized L10-ordered MnAl thin films2013

    • Author(s)
      M. Oogane, H. Saruyama, Y. Kurimoto, H. Naganuma, Y. Ando
    • Organizer
      MML2013
    • Place of Presentation
      Kyoto
    • Year and Date
      20130520-20130524
  • [Book] 新しい磁気センサとその応用2013

    • Author(s)
      毛利 佳年雄, 安藤 康夫, 本蔵 義信, 大兼 幹彦, 内山 剛, 野々村 裕
    • Total Pages
      197 (99-120)
    • Publisher
      トリケップス

URL: 

Published: 2015-05-28  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi