2013 Fiscal Year Annual Research Report
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24246063
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| Research Institution | Kochi University of Technology |
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Principal Investigator |
榎波 康文 高知工科大学, 工学部, 教授 (90377474)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | 電気光学ポリマ / ゾルゲルシリカ / メソポーラスゾルゲルシリカ / 光変調器 / 半波長電圧 / 広帯域光変調 / ポーリング効率 / 光導波閉じ込め効率 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
我々が初めて提案し実証してきたEOポリマ/TiO2垂直閉じ込め型スロット導波路光変調器の半波長電圧低減のため多孔性メソポーラスゾルゲルシリカ下部クラッドを導入した。メソポーラスゾルゲルシリカ下部クラッド（屈折率1.2-1.3）は、TiO2スロット層に挟み込まれたEOポリマへの光閉じ込め効率を向上した。。またRFスパッタリングにより作製したTiO2スロット薄膜の屈折率は2．5程度であり、低屈折率EOポリマSEO125（屈折率1．62）を併用し、EOポリマ内部への十分な導波光閉じ込めを実現した。
ゾルゲルシリカやTiO2の導電率は、EOポリマより高いため、EOポリマのポーリングの際に、EOポリマ膜厚に対する分圧印加電圧を高くすることができ、TiO2とゾルゲルシリカの組み合わせにより絶縁破壊をおこすことなくEOポリマのポーリング効率向上を可能とした。メソポーラスゾルゲルシリカ下部クラッド導入の際にはその導電率増加が必要であった。メソポーラスゾルゲルシリカ層にUV照射し導電率を1桁増加しポーリング効率向上に成功した。MZ型TiO2/EOポリマ垂直閉じ込め型スロット導波路光変調器をメソポーラスゾルゲルシリカ下部クラッド薄膜上に作製し半波長電圧低減を行った。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
メソポーラスゾルゲルシリカ下部クラッドを使用しTiO2/EOポリマスロット光導波路を作製しポーリングした結果、ポーリング効率向上と半波長電圧低減を実現した。
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| Strategy for Future Research Activity |
低屈屈折率メソポーラスゾルゲルシリカ下部クラッド導入により光閉じ込め効率向上とポーリング効率向上に成功し、EOポリマ（SEO125）/TiO2スロット導波路型光変調器の半波長電圧を低減したが、更なる半波長電圧低減が必要である。そのためには高いEO係数を有するEOポリマSEO100（屈折率1．7）の採用が必要である。EO係数の高いEOポリマは一般に屈折率が高いため、EOポリマへの光閉じ込め効率向上のためスロット導波路デバイスへ新規材料を導入する。
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