2013 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
24340078
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
笹川 崇男 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (30332597)
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Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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Keywords | トポロジカル絶縁体 / 単結晶 / 第一原理計算 / 量子構造観察 |
Research Abstract |
シリコンの限界を超える次世代デバイス材料として質量ゼロのディラック電子状態をもつグラフェンが注目されている。そのグラフェンを超越し凌駕できる可能性をもつ新電子材料である「トポロジカル絶縁体」について、新物質開拓とその良質大型単結晶化、そして単結晶を用いた電子状態の実験検証を継続して行っている。 新物質探索では、Bi2Te3 がもつホモロガス性に着目して、Bi-Te-Bi-Te-Bi の基本ユニットの層内への(GeTe)n 層の挿入、層間への (Bi2)m 層の挿入という2つのアプローチで、系統的な物質合成と評価を行った。良質な単結晶育成に成功した n,m = 0 (Bi2Te3), n = 1/2 (GeBi4Te7), 1 (GeBi2Te4), 2 (Ge2Bi2Te5), 3 (Ge3Bi2Te6), ∞ (GeTe) および m = 1/2 (BiTe), 1 (Bi4Te3), 2 (Bi2Te) について輸送特性の評価を詳細に行うとともに、第一原理計算で電子波動関数の集合が持つパリティ解析を行うことで、トポロジカル絶縁体であるか否かの判定を行った。 一方で、重元素のみで構成され、層状構造をもち、更に空間反転対称性をもたない物質を中心に物質探索を行うことで、「極性トポロジカル絶縁体」の開発に初めて成功した。従来のトポロジカル絶縁体に比べて、この物質を用いるとデバイス構造を単純化できるため、応用面でも注目を集めることとなり、新聞報道(日経産業新聞・21面、2013年10月16日)もなされた。 電子状態の実験検証においては、STM/STSを用いた原子レベルでの表面観察と電子状態マッピングにより、グラフェンとは異なってトポロジカル絶縁体のディラック電子状態は乱れに強いこと、更に、外部電圧によってナノスケールでトポロジカル表面状態を制御・記録できるなどの新機能を発見した。
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
昨年度までに確立した第一原理計算を活用した物質探索の方法論を活かし、構造や組成の系統性に着目することによって、成果の出にくい新物質探索においても予想以上の結果を得ることができたと自負している。 新物質を全て高品質の単結晶として作製することにより、STM や ARPES といった先端分光技術を用いた電子状態の実験検証に成功し、トポロジカル絶縁体がもつ電子状態の本質に迫ることが出来たとともに、新たな機能の芽も見い出せた。
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Strategy for Future Research Activity |
理論の進展もあり、未だ見つかっていない新しい種類のトポロジカル絶縁体の数はまだまだ増加している。 これまでに発見した物質群の物性評価を進めることで着実に成果を収穫するとともに、ここ数年間で培ったトポロジカル絶縁体に対する物質観を武器に、更に野心的に新物質開拓を推進してゆく。
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Expenditure Plans for the Next FY Research Funding |
見積りを取った時点で、海外からの輸入機器の納期が間に合わないことが判明したため、購入をあきらめたものが1件ある。また、複数件の国際会議が国内(近郊)で行われたため、当初予定の旅費を大幅に節約することができたことも一因である。 輸入品の見積・発注を改めて年度の早い時点で行う。 また、国内外の主要な研究集会における成果公表に更に注力する。
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[Journal Article] Electronic Structure of a Quasi-Freestanding MoS2 Monolayer2014
Author(s)
T. Eknapakul, P. D. C. King, M. Asakawa, P. Buaphet, R.-H. He, S.-K. Mo, H. Takagi, K. M. Shen, F. Baumberger, T. Sasagawa, S. Jungthawan, and W. Meevasana
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Journal Title
Nano Letters
Volume: 14
Pages: 1312-1316
DOI
Peer Reviewed
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[Journal Article] Discovery of a Single Topological Dirac Fermion in a Strong Inversion Asymmetric Compound BiTeCl2013
Author(s)
Y. L. Chen, M. Kanou, Z. K. Liu, H. J. Zhang, J. A. Sobota, D. Leuenberger, S. K. Mo, B. Zhou, S.-L. Yang, P. S. Kirchmann, D. H. Lu, R. G. Moore, Z. Hussain, Z. X. Shen, X. L. Qi, and T. Sasagawa
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Journal Title
Nature Physics
Volume: 9
Pages: 704-708
DOI
Peer Reviewed
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[Journal Article] Ultrafast Charge Localization in a Stripe-phase Nickelate2013
Author(s)
G. Coslovich, B. Huber, W. -S. Lee, Y. -D. Chuang, Y. Zhu, T. Sasagawa, Z. Hussain, H. A. Bechtel, M. C. Martin, Z. -X. Shen, R. W. Schoenlein, and R. A. Kaindl
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Journal Title
Nature Communications
Volume: 4
Pages: 2643/1-6
DOI
Peer Reviewed
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[Journal Article] Absence of Superconductivity in the "Hole-doped" Fe pnictide Ba(Fe1-xMnx)2As2: Photoemission and X-ray Absorption Spectroscopy Studies2013
Author(s)
H. Suzuki, T. Yoshida, S. Ideta, G. Shibata, K. Ishigami, T. Kadono, A. Fujimori, M. Hashimoto, D. H. Lu, Z.-X. Shen, K. Ono, E. Sakai, H. Kumigashira, M. Matsuo, and T. Sasagawa
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Journal Title
Physical Review B
Volume: 88
Pages: 10501-1-5
DOI
Peer Reviewed
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[Journal Article] Dependence of Carrier Doping on the Impurity Potential in Transition-Metal-Substituted FeAs-based Superconductors2013
Author(s)
S. Ideta, T. Yoshida, I. Nishi, A. Fujimori, Y. Kotani, K. Ono, Y. Nakashima, S. Yamaichi, T. Sasagawa, M. Nakajima, K. Kihou, Y. Tomioka, C. H. Lee, A. Iyo, H. Eisaki, T. Ito, S. Uchida, and R. Arita
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Journal Title
Physical Review Letters
Volume: 110
Pages: 107007/1-5
DOI
Peer Reviewed
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[Presentation] Exploration of Strongly Spin-Orbit-Coupled Electron Systems2013
Author(s)
T. Sasagawa, M. Kanou, K. Igarashi, M. Murase, Y. Chen, and Z.-X. Shen
Organizer
International Symposium on EcoTopia Science 2013 and The 4th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials
Place of Presentation
Nagoya, Japan
Year and Date
20131213-20131215
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