2014 Fiscal Year Annual Research Report
ハイブリッド高分子ナノ集積体の非線形応答ダイナミクス
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24350112
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
三ツ石 方也 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (70333903)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | 超薄膜 / 高分子構造・物性 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
強誘電性高分子ポリフッ化ビニリデン(PVDF)と両親媒性高分子ポリドデシルアクリルアミドを共展開することでLangmuir-Blodgett法により強誘電相となるβ相を効率的に発現することに着目し、PVDF溶液の溶媒を適切に選択することで、β相以外にα相を選択的に発現できることを明らかにした。選択的結晶相発現の原因として、溶媒と水との親和性や極性などが考えられ、今後の詳細な検討が必要である。この結果は結晶性高分子の超薄膜化に関し、ボトムアップ的に作製する技術として研究展開が可能であることを示唆しており、実際、研究計画にはなかった共役系高分子について新たに研究を行っている。予備的段階ではあるが、共役系高分子とPVDFを混合した超薄膜の作製を行い、強誘電性の増幅が得られる等の結果を得た。
PET基板上に積層したシルセスキオキサン含有高分子ナノ集積体をオゾン処理することにより形成されるSiO2超薄膜の電気抵抗測定を行ったところ、10^-9Scm^-1と求められ、絶縁膜として機能することがわかった。さらにオゾン処理中のシルセスキオキサン含有高分子ナノ集積体の時間変化をFT-IRにより追跡したところ、まず有機部分が分解した後、シルセスキオキサンからSiO2へと変化する様子をとらえることができた。この結果により、シルセスキオキサンの高密度化がもたらす効果や大気中の酸素の役割などを考察することができた。SiO2超薄膜を電極でサンドイッチした構造を有する素子を作製し、±1V以下の印加電圧により低抵抗と高抵抗間の抵抗変化の非線形的応答を示すヒステリシスがあらわれる抵抗変化動作を確認した。今後、不揮発性メモリなどのエレクトロニクス素子として展開が期待できる。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(27 results)
