2014 Fiscal Year Annual Research Report
局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御
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24360004
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| Research Institution | Saitama University |
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Principal Investigator |
矢口 裕之 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (50239737)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
片山 竜二 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (40343115)
窪谷 茂幸 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (70583615)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | 半導体物性 / MBE、エピタキシャル / 光物性 / 応用光学・量子光光学 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
エピタキシャル成長、原子層ドーピングおよび微細加工技術を利用して、窒素原子あるいはエルビウム原子局所ドーピング構造半導体を作製し、量子情報通信において重要な役割を担う、高純度、完全ランダム偏光、かつ優れた波長再現性を有する単一光子および量子もつれ光子対の高効率生成を目指して研究を進めた。今年度の研究実績は以下の通りである。
1. 昨年度に引き続いて、局所ドーピング構造半導体の作製を行う上で必要となるエルビウムの原子層ドーピング条件について研究を行った。分子線エピタキシャル成長中におけるエルビウム原子の表面偏析がどのように成長温度に依存するのかを定量的に調べるとともに、原子層ドーピング構造半導体を作製するための条件として300℃以下の低温でエピタキシャル成長を行うことが必須であることを明らかにした。
2. 窒素原子局所ドーピングドーピング構造半導体とGaAs/AlAs多層膜からなる分布ブラッグ反射構造とを組み合わせることによって、窒素原子対からの発光の取り出し効率を向上させることと、発光に必要な励起強度を低減させることが可能となった。
3. 窒素原子局所ドーピング構造半導体の励起条件について検討を行うためにGaAsN/GaAs多重量子井戸からの発光を用いて励起強度依存性および励起波長依存性を調べた。
4. 単一光子生成に利用することのできる新たな局所ドーピング構造半導体材料系を探索するために、InAsN混晶の伝導帯の伝導帯の電子状態について第一原理計算によって検討を行った。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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