2014 Fiscal Year Annual Research Report
歪み半導体の表面近傍における歪み量と価電子構造の研究
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24360018
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| Research Institution | Nara Institute of Science and Technology |
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Principal Investigator |
武田 さくら 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (30314537)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高橋 敏男 東京大学, 物性研究所, 教授 (20107395)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | 歪み半導体 / バンド構造 / 角度分解光電子分光 / ラマン分光 / 超高真空 / LEED I-V |
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| Outline of Annual Research Achievements |
歪み印可半導体のバンド分散構造解明を目指し、歪み量の精密測定と価電子バンド分散構造の精密測定を行うべく研究を進めている。本課題で開発した超高真空（UHV）中の高分解能ラマン分光装置と角度分解光電子分光、研究分担者らのX線回折、LEED I-Vによって本年度は以下の項目を達成した。
１．1軸引張り歪みSi(111)についてUHVラマン分光で歪みの場所依存性を明らかにした。また、一軸歪み印可時の価電子バンド分散を測定し、形状の変化を見出した。この形状の変化について、表面超構造の経時変化の影響と歪みによる変化の切り分けを行っている。
２．2軸引張り歪みSi/SiGeの歪みが最表面まで緩和せずに入っていることをLEED I-V測定より明らかにした。角度分解光電子分光で2軸引張り歪みSi/SiGeの価電子バンド分散構造の精密測定を行っており、歪み量と価電子バンド分散構造の関係が得られた。
３．Geについては歪み効果を調べる前に、まず無歪みの場合のバンド分散構造を明らかにする必要がある。Ge(001)清浄表面とPb吸着Ge(001)表面、Bi吸着Ge(001)表面についてその表面超構造と価電子帯分散構造を調べ明らかにした。Pb吸着Ge(001)表面においては価電子バンドと表面共鳴バンドの混成によるバンド形状の変化を見出し、その混成エネルギーが68meVであることを明らかにした。
４．Cu上グラフェンについて一軸引っ張り歪みの歪み量とラマンピークのシフト量の間の比例定数を測定し、明らかにした。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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