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2013 Fiscal Year Annual Research Report

酸化エルビウム結晶におけるポピュレーション操作と量子メモリへの応用

Research Project

Project/Area Number 24360033
Research InstitutionNTT Basic Research Laboratories

Principal Investigator

俵 毅彦  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (40393798)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 尾身 博雄  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (50257218)
後藤 秀樹  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主幹研究員 (10393795)
寒川 哲臣  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主席研究員 (70211993)
倉持 栄一  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (10393802)
足立 智  北海道大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (10221722)
Project Period (FY) 2012-04-01 – 2015-03-31
KeywordsSTIRAP / 酸化エルビウム / エネルギー移動
Research Abstract

本年度は①Erイオン間相互作用の制御、②Stark準位均一幅評価、③ナノ構造作製に向けたEr2O3加工条件の検討を行なった。
①Erイオン間相互作用の制御:Er2O3結晶中ではErイオン間距離が数オングストロームと近接しているためエネルギー移動が高い確率で生じ、ポピュレーションが散逸してしまうということが昨年明らかとなっていた。そこで今年度はErイオン間距離を制御するため、スカンジウム(Sc)で混晶化することを検討した。その結果MBE法でEr濃度100-1%の間の(ErSc)2O3単結晶薄膜を得ることに成功し、またEr間相互作用の抑制によりエネルギー移動効率を1/100に低減することが可能となった。さらにStark準位の不均一幅の減少(1/3以下)および発光の長寿命化(10倍以上)も観測された。
②Stark準位均一幅評価:STIRAP実現にはStark準位の均一幅が重要なパラメータの一つである。そのため今年度はスペクトルホールバーニングによる均一幅評価を試みた。しかしながらこれまでのところ明瞭なホール形成は確認できておらず、その原因として薄膜での測定であるため相互作用長が短く、かつ測定系の波長分解能が不足しているためと考えている。そのため現在試料構造および測定系について改善を進めている。
③ナノ構造作製に向けたEr2O3加工条件の検討:Er2O3をフォトニック結晶共振器中に埋め込み、単一光子レベルでのSTIRAPを実現することを本課題の最終目標としている。しかしEr2O3単結晶薄膜の微細加工例は非常に少ないため、その条件を詳細に調べる必要がある。今年度はドライエッチングによるEr2O3の加工条件を最適化し、数ミクロン~数十ナノの微細構造の作製に成功した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

3: Progress in research has been slightly delayed.

Reason

均一幅の測定に苦戦しており、予定のSTIRAP実証は達成できなかった。しかしErイオン間相互作用の制御や微細加工条件の最適化などは予想以上に進捗しており、若干の遅れは見られるものの次年度に向け着実に進展していると考える。

Strategy for Future Research Activity

・高分解能測定系およびEr2O3導波路構造を用いた均一幅の評価
・STIRAPの実証
・Er2O3埋め込み型フォトニック結晶共振器の作製と特性評価

  • Research Products

    (16 results)

All 2014 2013

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (11 results) (of which Invited: 1 results) Patent(Industrial Property Rights) (2 results)

  • [Journal Article] Mixture formation of ErxYb2-xSi2O7 and ErxYb2-xO3 on Si for broadening the C-band in an optical amplifier2013

    • Author(s)
      H. Omi, Y. Abe, M. Anagnosti, T. Tawara
    • Journal Title

      AIP Advances

      Volume: 4 Pages: 042107-1~6

    • DOI

      10.1063/1.4800714

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Population dynamics in epitaxial Er2O3 thin films grown on Si(111)2013

    • Author(s)
      T. Tawara, H. Omi, T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 102 Pages: 241918-1~4

    • DOI

      10.1063/1.4812294

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Light emission from thulium silicates and oxides for optical amplifiers on silicon in the extended optical communications band2013

    • Author(s)
      H. Omi, A. Hagiwara, T. Tawara
    • Journal Title

      AIP Advances

      Volume: 3 Pages: 072122-1~5

    • DOI

      10.1063/1.4816717

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Si(111)上にMBE成長した(Sc1-xErx)2O3膜のEXAFS解析2014

    • Author(s)
      尾身博雄,俵毅彦,鍛治怜奈,穂積貴人,足立智,後藤秀樹,寒川哲臣
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青山学院大学相模原キャンパス
    • Year and Date
      20140317-20140320
  • [Presentation] MBE growth and optical properties of rear earth oxides on Si(111)2014

    • Author(s)
      H. Omi, T. Tawara, T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa
    • Organizer
      Symposium on Surface and Nano Science 2014
    • Place of Presentation
      Furano, Japan
    • Year and Date
      20140115-20140118
    • Invited
  • [Presentation] Molecular beam epitaxy of (ErxSc1-x)2O3 on Si(111) for active integrated optical devices2014

    • Author(s)
      H. Omi, T. Tawara, T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa
    • Organizer
      2nd International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology
    • Place of Presentation
      Lisbon, Portugal
    • Year and Date
      20140107-20140109
  • [Presentation] 酸化エルビウム薄膜のサイト間エネルギー移動特性2013

    • Author(s)
      佐野将大, 川上欣洋, 穂積貴人, 鍜治怜奈, 足立 智, 俵毅彦
    • Organizer
      第49回応用物理学会北海道支部/第10回日本光学会北海道地区合同学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学
    • Year and Date
      20131209-20131210
  • [Presentation] Magneto-optical properties of Er2O3 epilayers on Si(111)2013

    • Author(s)
      T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, T. Tawara, H. Omi
    • Organizer
      2013 JSPS-MRS Joint Symposia
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      20130916-20130920
  • [Presentation] MBE growth and optical properties of rear earth oxides on Si(111)2013

    • Author(s)
      H. Omi, T. Tawara, T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa
    • Organizer
      2013 JSPS-MRS Joint Symposia
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      20130916-20130920
  • [Presentation] Si基板上(Er1-xScx)2O3のMBE成長2013

    • Author(s)
      尾身博雄,俵毅彦,穂積貴人,鍛治怜奈,足立智,後藤秀樹,寒川哲臣
    • Organizer
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学京田辺キャンパス
    • Year and Date
      20130916-20130920
  • [Presentation] 酸化エルビウムエピタキシャル薄膜のスカンジウム混晶化による光学特性の改善2013

    • Author(s)
      俵毅彦,尾身博雄,穂積貴人,鍜治怜奈,足立智,後藤秀樹,寒川哲臣
    • Organizer
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学京田辺キャンパス
    • Year and Date
      20130916-20130920
  • [Presentation] ダブル誘導ラマン断熱通過による酸化エルビウム薄膜での量子ビット任意回転操作2013

    • Author(s)
      川上欣洋,穂積貴人,鍜治怜奈,足立智,俵毅彦,尾身博雄
    • Organizer
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学京田辺キャンパス
    • Year and Date
      20130916-20130920
  • [Presentation] Energy transfer in epitaxial Er2O3 thin films grown on Si(111) substrates2013

    • Author(s)
      T. Tawara, T. Hozumi, H. Omi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa
    • Organizer
      IEEE Photonics Conference 2013
    • Place of Presentation
      Bellevue-Seattle, USA
    • Year and Date
      20130908-20130912
  • [Presentation] Arbitrary qubit rotation by double STIRAP in Er2O3 thin film2013

    • Author(s)
      Y, Kawakami, Y. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, T. Tawara, H. Omi
    • Organizer
      Y, Kawakami, Y. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, T. Tawara, H. Omi
    • Place of Presentation
      Matsue, Japan
    • Year and Date
      20130622-20130626
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 量子ビットの操作方法2013

    • Inventor(s)
      足立智
    • Industrial Property Rights Holder
      日本電信電話㈱
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特願2013-147283
    • Filing Date
      2013-07-16
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 光素子およびその製造方法2013

    • Inventor(s)
      尾身博雄
    • Industrial Property Rights Holder
      日本電信電話㈱
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特願2013-162076
    • Filing Date
      2013-08-05

URL: 

Published: 2015-05-28  

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