2015 Fiscal Year Annual Research Report
超高密度パワーＳＯＣ（Ｓｕｐｐｌｙ ｏｎ Ｃｈｉｐ）用集積回路基板の研究
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24360111
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| Research Institution | Kyushu Institute of Technology |
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Principal Investigator |
松本 聡 九州工業大学, 大学院 工学研究院, 教授 (10577282)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
西澤 伸一 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー技術部門, 研究員 (40267414)
馬場 昭好 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 准教授 (80304872)
新海 聡子 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 准教授 (90374785)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 集積化電源 / 排熱 / 抜熱 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
ナノダイヤを排熱層とした場合の効果を評価した結果、酸化膜に比べて２０℃程度低温化できることを明らかにした。また、評価結果をもとに、シミュレーション用のモデルを作製した。
シリサイド化による貼り合わせにおいて，Hf膜厚を150nm以下に設定すると接合強度が急激に減少することを明らかにした。同時に，接合面積を大きくすると、接合強度が減少した。これはダイヤモンドの表面粗さに顕著に影響を受けるようになったためと考えられる。検証の結果、ダイヤモンドの表面粗さが10nmを越えると高いシリサイド化温度を設定しても、接合ができない、もしくは，極めて弱い接合となることが明らかとなった。そのため、シリサイド化を用いた接合の実現には、ダイヤモンドの低い表面粗さと150nm程度のHf膜厚の両方が必要であることを明らかにした。
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| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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