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2012 Fiscal Year Annual Research Report

多値ReRAM搭載のナノドットアレイによる多入力多出力フレキシブルデバイスの研究

Research Project

Project/Area Number 24360128
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Research InstitutionHokkaido University

Principal Investigator

高橋 庸夫  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (90374610)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 有田 正志  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 准教授 (20222755)
小野 行徳  富山大学, 大学院・理工学研究部, 教授 (80374073)
Project Period (FY) 2012-04-01 – 2015-03-31
Keywords少数電子素子 / 抵抗変化素子 / 電子デバイス・機器 / 先端機能デバイス / 省エネルギーデバイス / 揺らぎ許容デバイス / フレキシブルデバイス / 量子情報処理デバイス
Research Abstract

ナノドットアレイを用いた単電子パルスニューロン回路などのフレキシブルで冗長なシステム構築に向けて、その高速動作性に関して検証した。単電子デバイス独特の整流作用に注目し、新たな評価方法を編み出し、検討した。その結果、単電子デバイスは、高インピーダンスデバイスのため動作速度が遅いと言われてきていたが、この広く知られている予測に反して、整流作用に遮断周波数は存在せず、超高周波であるTHz(テラヘルツ)波でも整流可能であるという、新たな知見を得た。予測外ではあるが、本研究にとっても好都合な上に、次世代の通信技術として期待される超高周波応用の新たな応用の可能性を示唆する結果である。
ナノドットアレイを用いたフレキシブル論理回路に関して、そのドットの配置と実現できる論理関数の関係について2入力の論理回路をベースに理論的に検討を進め、ドットサイズ揺らぎに強い論理回路とするためには、ドットが並列且つ直列の接続を多数持つことが必要であることを明確にした。同時に、新たな機能性の創出を目指して、ナノドットのサイズが小さいことと、その中に内包される電子数が少ないことによって現れる量子効果について検討し、多数のゲート電極が配置されたドットでは、複雑なゲート電圧による変調効果が得られることを示した。
抵抗変化メモリ(ReRAM)素子の検討では、各種の金属酸化物材料を検討した中で、WOx、MoOx、CoOx、NiOxにおいてメモリ動作特性が得られた。その安定性と機能応用としての使いやすさから、WOx、MoOxを選定し、基本特性評価、繰返し耐性、高速応答性などについて検討を開始した。加えて、ReRAMの将来の実用化に向けての最大の障壁となっている動作原理の解明を確実に行うため、透過型電子顕微鏡内でのReRAM動作とその場観察実現に向けて、サンプル作成法を検討し、見通しを得た。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

1: Research has progressed more than it was originally planned.

Reason

ナノドットを用いたデバイスの高速動作性の検討では、整流特性が周波数の上限無く生じることを見出した。本研究にとって好都合であることは言うまでもなく、いわゆるテラヘルツ領域と呼ばれる新たな超高周波領域での応用に道を開く結果出を得ることができた。加えて、ナノドットアレイやその機能性向上に向けての検討と、ReRAMの実用に向けた問題解決を含めての基本的な研究課題をクリアした。

Strategy for Future Research Activity

ReRAM-ナノドットアレイ連携の前に、SiMOSFETとの連携を実現するため、この構成デバイスを試作可能とし、加えて高信頼化へ向けて動作原理解明を行う。ナノドットアレイの高機能化のための量子効果の検討を行う。
本研究遂行中に見出した、単電子デバイスの超高周波応用に関しては、共同研究により推進する。

Expenditure Plans for the Next FY Research Funding

ReRAMデバイスとMOSFETとの連携実現のため、次年度は、ReRAMデバイスの完成度を高めるための試作装置の整備のために必要な装置群の購入を予定している。加えて、測定評価系のさらなる高度化のための評価装置の改良部品を購入する予定である。今後も、成果発表やデバイス試作継続に経費を用いていく。

  • Research Products

    (33 results)

All 2013 2012

All Journal Article (7 results) (of which Peer Reviewed: 7 results) Presentation (25 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] In-situ transmission electron microscopy of conductive filaments in NiO resistance random access memory and its analysis2013

    • Author(s)
      Takashi Fujii
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 113 Pages: 083701 1-7

    • DOI

      10.1063/1.4792732

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Multi-Functional Logic Gate by Means of Nanodot Array with Different Arrangements2013

    • Author(s)
      Yasuo Takahashi
    • Journal Title

      Journal of Nanomaterials

      Volume: 2013 Pages: 702094 1-7

    • DOI

      10.1155/2013/702094

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Resistance switching properties of molybdenum oxide films2012

    • Author(s)
      Masashi Arita
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 520 Pages: 4762-4767

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.10.174

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Effect of arrangement of input gates on logic switching characteristics of nanodot array device2012

    • Author(s)
      Mingyu Jo
    • Journal Title

      IEICE Transactions on Electronics

      Volume: E-95C. Pages: 865-870

    • DOI

      10.1587/transele.E95.C.865

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Reduction of threshold voltage fluctuation in field-effect transistors by controlling individual dopant position2012

    • Author(s)
      Masahiro Hori
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 101 Pages: 013503 1-3

    • DOI

      10.1063/1.4733289

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] One electron-based smallest flexible logic cell2012

    • Author(s)
      S. J. Kim
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 101 Pages: 013503 1-4

    • DOI

      10.1063/1.4761935

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] In-situ TEM Observation of Electromigration in Au Thin Wires2012

    • Author(s)
      Yosuke Murakami
    • Journal Title

      Journal of Nanoscience and Nanotechnology

      Volume: 12 Pages: 8741-8745

    • DOI

      10.1166/jnn.2012.6474

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 抵抗変化メモリ MoOx/Cu 動作のTEM その場計測2013

    • Author(s)
      大野裕輝
    • Organizer
      日本金属学会2013年春期(第152回)講演大会
    • Place of Presentation
      東京理科大学神楽坂キャンパス
    • Year and Date
      2013-03-29
  • [Presentation] エレクトロマイグレーションによるAuナノワイヤー狭窄過程のTEMその場観察2013

    • Author(s)
      有田正志
    • Organizer
      日本金属学会2013年春期(第152回)講演大会
    • Place of Presentation
      東京理科大学神楽坂キャンパス
    • Year and Date
      2013-03-29
  • [Presentation] 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価2013

    • Author(s)
      内田貴史
    • Organizer
      電子情報通信学会、電子デバイス研究会
    • Place of Presentation
      百年記念会館、北海道大学
    • Year and Date
      2013-02-28
  • [Presentation] MoOx薄膜を使用した抵抗変化メモリにおけるスイッチ特性の改善2013

    • Author(s)
      高見澤圭佑
    • Organizer
      応用物理学会・日本光学会北海道支部合同学術講演会
    • Place of Presentation
      釧路市生涯学習センター
    • Year and Date
      2013-01-11
  • [Presentation] エレクトロマイグレーションによるNiナノワイヤの作製と評価2013

    • Author(s)
      越智隼人
    • Organizer
      応用物理学会・日本光学会北海道支部合同学術講演会
    • Place of Presentation
      釧路市生涯学習センター
    • Year and Date
      2013-01-11
  • [Presentation] Si量子ドットデバイスへの期待2012

    • Author(s)
      高橋庸夫
    • Organizer
      第12回インテリジェント・ナノプロセス研究会
    • Place of Presentation
      トラストシティカンファレンス仙台(招待講演)
    • Year and Date
      2012-12-12
  • [Presentation] In-Situ Transmission Electron Microscopy Analysis of Switching Mechanism in Resistance Random Access Memories2012

    • Author(s)
      Yasuo Takahashi
    • Organizer
      2012 EMN Fall Meeting
    • Place of Presentation
      Red Rock Casino Resort and Spa, Las Vegas, Nevada, USA(招待講演)
    • Year and Date
      2012-11-29
  • [Presentation] Direct observation of microstructure changes arising from electromigration2012

    • Author(s)
      Yosuke Murakami
    • Organizer
      2012 International Conference on Solid state Devices and Materials
    • Place of Presentation
      Kyoto International Conference Center, Kyoto
    • Year and Date
      2012-09-25
  • [Presentation] High-frequency characteristics of Si single-electron transistor2012

    • Author(s)
      Hiroto Takenaka
    • Organizer
      Ninth International Conference on Flow Dynamics
    • Place of Presentation
      Hotel Metropolitan Sendai, Sendai
    • Year and Date
      2012-09-20
  • [Presentation] Si単電子トランジスタの高周波応答特性(2)2012

    • Author(s)
      竹中浩人
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学城北地区& 松山大学文京キャンパス
    • Year and Date
      2012-09-14
  • [Presentation] 多数のゲートを有するSi単電子トランジスタの少数電子系の特性評価2012

    • Author(s)
      内田貴史
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学城北地区& 松山大学文京キャンパス
    • Year and Date
      2012-09-14
  • [Presentation] エレクトロマイグレーションによる細線形状と結晶構造変化の直接観察2012

    • Author(s)
      村上暢介
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学城北地区& 松山大学文京キャンパス
    • Year and Date
      2012-09-12
  • [Presentation] 上部電極を有するTEMその場観察ReRAM試料における電気特性評価2012

    • Author(s)
      工藤昌輝
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学城北地区& 松山大学文京キャンパス
    • Year and Date
      2012-09-11
  • [Presentation] 単層Fe-MgF2グラニュラー膜の電気特性に及ぼす基板の効果2012

    • Author(s)
      佐藤栄太
    • Organizer
      日本金属学会・日本鉄鋼協会両北海道支部合同サマーセッション
    • Place of Presentation
      学術交流会館、北海道大学
    • Year and Date
      2012-07-24
  • [Presentation] イオンシャドー法によるTEM観察用ReRAM疑似デバイス作製法2012

    • Author(s)
      大野裕輝
    • Organizer
      日本金属学会・日本鉄鋼協会両北海道支部合同サマーセッション
    • Place of Presentation
      学術交流会館、北海道大学
    • Year and Date
      2012-07-24
  • [Presentation] In-situ TEM observation for shape variation of Au thin wires by electromigration2012

    • Author(s)
      Yosuke Murakami
    • Organizer
      The First International Joint Workshop on Intelligent Convergence Technology
    • Place of Presentation
      Inceon Univ., Incheon, Korea
    • Year and Date
      2012-06-21
  • [Presentation] High-frequency properties of Si single-electron transistor2012

    • Author(s)
      Hiroto Takenaka
    • Organizer
      2012 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • Place of Presentation
      Hilton Hawaiian Village, Hawaii, USA
    • Year and Date
      2012-06-11
  • [Presentation] In-situ TEM observation of microstructure transition in Au wire caused by electromigration2012

    • Author(s)
      Yosuke Murakami
    • Organizer
      EMRS 2012 Spring Meeting
    • Place of Presentation
      Congress Center, Strasbourg, France
    • Year and Date
      2012-05-15
  • [Presentation] Magnetoresistance of MgF_2/Fe/MgF_2 trilayer composed of Fe nano-dots2012

    • Author(s)
      Takuma Ishikawa
    • Organizer
      EMRS 2012 Spring Meeting
    • Place of Presentation
      Congress Center, Strasbourg, France
    • Year and Date
      2012-05-15
  • [Presentation] Preparation of ReRAM samples for in-situ TEM experiment2012

    • Author(s)
      Masaki Kudo
    • Organizer
      EMRS 2012 Spring Meeting
    • Place of Presentation
      Congress Center, Strasbourg, France
    • Year and Date
      2012-05-15
  • [Presentation] MoOx抵抗変化メモリにおけるスイッチング特性とTEM内同時観察2012

    • Author(s)
      工藤昌輝
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学、厚木市
    • Year and Date
      2012-03-30
  • [Presentation] エレクトロマイグレーションによるNiナノ構造の作製と評価2012

    • Author(s)
      越智隼人
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学、厚木市
    • Year and Date
      2012-03-29
  • [Presentation] Si単電子トランジスタにおけるexcited stateのゲート電圧による変化2012

    • Author(s)
      吉岡 勇
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学、厚木市
    • Year and Date
      2012-03-29
  • [Presentation] 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価2012

    • Author(s)
      内田貴史
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学、厚木市
    • Year and Date
      2012-03-29
  • [Presentation] 結晶粒界近傍におけるエレクトロマイグレーションのその場観察2012

    • Author(s)
      村上暢介
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学、厚木市
    • Year and Date
      2012-03-28
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 抵抗変化型メモリ2012

    • Inventor(s)
      高橋庸夫、有田正志、藤井孝史、梶宏道、近藤洋史、茂庭昌弘、藤原一郎、山口豪、吉丸正樹
    • Industrial Property Rights Holder
      (株)半導体理工学研究センター
    • Industrial Property Number
      特許権、特願2012-256096
    • Filing Date
      2012-11-22

URL: 

Published: 2014-07-16  

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