2012 Fiscal Year Annual Research Report
立体型ナノスケール素子におけるクーロン相互作用の影響と現実的な特性解析
| Project/Area Number |
24360130
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
| Research Institution | University of Tsukuba |
|---|
Principal Investigator |
佐野 伸行 筑波大学, 数理物質系, 教授 (90282334)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
|
| Keywords | 電子デバイス・機器 / 電子輸送 / モンテカルロ法 / ボルツマン方程式 / MOSFET / トランジスター / スケーリング / デバイスシミュレーション |
|---|
| Research Abstract |
本研究では、長距離クーロン相互作用を正確に組み込んだモンテカルロ・シミュレータに様々なナノスケール立体素子構造（Tri-gate, Gate-All-Around, Nano-Wire）を導入し、それらの現実的な素子特性や微細素子特有の電流ノイズを定量的に予測・解析することを目標とする。今年度は、以下の項目の研究を進めた。
(1) クーロン相互作用を正確に考慮したモンテカルロ・シミュレータに次世代Si-MOS 構造素子として最も有望視されている立体素子構造を導入した。その際、半古典的取り扱いとの整合性から、最も現実的なデバイスサイズ（デバイス断面積は量子閉じ込めの影響が小さい20nmx20nm から10nmx10 nm 程度とし、チャネル長は50nm から5nm）を設定した。
(2) 高濃度にドープされているソース/ドレイン領域での電子間および電子不純物間クーロン相互作用の導入と検証を行い、立体素子構造のもとでのシミュレータの安定動作を確認中である。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
研究協力者を雇用して研究を加速する予定であったが、雇用が遅れたため。
|
| Strategy for Future Research Activity |
研究協力者の協力のもと、シミュレーションの解析を加速して進める。
|
| Expenditure Plans for the Next FY Research Funding |
雇用予定の研究員が就職のため雇用できず、適当な研究員を雇用できなかったため。
次年度早々に研究員を新規雇用する。
|
