• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2014 Fiscal Year Annual Research Report

立体型ナノスケール素子におけるクーロン相互作用の影響と現実的な特性解析

Research Project

Project/Area Number 24360130
Research InstitutionUniversity of Tsukuba

Principal Investigator

佐野 伸行  筑波大学, 数理物質系, 教授 (90282334)

Project Period (FY) 2012-04-01 – 2015-03-31
Keywords電子デバイス・機器 / 電子輸送 / モンテカルロ法 / ボルツマン方程式 / MOSFET / トランジスタ / デバイスシミュレーション / スケーリング
Outline of Annual Research Achievements

デバイスの立体構造として、最近注目を集めている接合の無いデバイス(Junctionless FET)をモンテカルロシミュレータに新たに導入した。そのうえで、クーロン相互作用のデバイス特性への影響を検討を進めた。これは、当該構造では良いデバイスオン特性を得るためには、非常に高い電子濃度が不可避になることから、クーロンン相互作用がデバイス特性に顕著な影響を及ぼすことが期待されるからである。そのうえで、新たに雇用した研究員とともに以下の内容の研究を加速して進めた。

(1) 精度良くクーロン相互作用を導入したモンテカルロ・シミュレータを用いて、チャネル電子によるドレイン領域でのエネルギー緩和現象に伴って、デバイス特性(ドレイン電流)が30%程度劣化する可能性を見出した。

(2) チャネル電子とソース/ドレイン領域に含まれる電子とのクーロン相互作用の素子特性への影響を検討した。チャネル電子濃度が高いことから、チャネル電子を動的に遮蔽する効果(動的なプラズモンの励起)が顕在化することをプラズマスペクトルをシミュレーションで確認することで実証した。これは、クーロン相互作用を高精度にシミュレータに導入して初めて観測できる現象であり、世界的にも初めて成果である。この結果をいち早く、応用物理分野で最も権威ある学術雑誌(Appl. Phys. Lett.)に発表した。

Research Progress Status

26年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

26年度が最終年度であるため、記入しない。

Causes of Carryover

26年度が最終年度であるため、記入しない。

Expenditure Plan for Carryover Budget

26年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (8 results)

All 2014

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results,  Open Access: 2 results,  Acknowledgement Compliant: 2 results) Presentation (6 results) (of which Invited: 2 results)

  • [Journal Article] Self-Consistent Monte Carlo Simulation of Junctionless Transistor including Dynamical Coulomb Interaction2014

    • Author(s)
      Katsuhisa Yoshida, Toru Shibamiya, Nobuyuki Sano
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 105 Pages: 033501_1-3

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1063/1.4890695

    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Magnetization and Conductance of Asymmetrically Hydrogenated Graphene Nanoribbons2014

    • Author(s)
      Syuta Honda, Kouhei Inuzuka, Norio Ota, Nobuyuki Sano, Takeshi Inoshita
    • Journal Title

      J. Phys. D: Appl. Phys.

      Volume: 47 Pages: 485004_1-6

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/47/48/485004

    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] Role of Coulomb Interaction in Nanoscale MOSFETs: A Theoretical Viewpoint2014

    • Author(s)
      Nobuyuki Sano and Katsuhisa Yoshida
    • Organizer
      International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD-2014) Workshop
    • Place of Presentation
      Yokohama, Japan
    • Year and Date
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • Invited
  • [Presentation] Conduction and Spin Transport via Edge States in Randomly Hydrogenated Graphene Nano-Ribbon2014

    • Author(s)
      K. Inuzuka, S. Honda, and N. Sano
    • Organizer
      Computational Science Workshop 2014 (CSW2014)
    • Place of Presentation
      Tsukuba, Ibaraki
    • Year and Date
      2014-08-20 – 2014-08-22
  • [Presentation] Screening Effect on Si Junctionless Nanowire Transistors2014

    • Author(s)
      A. Ueda, M. Luisier, K. Yoshida, S. Honda, and N. Sano
    • Organizer
      Computational Science Workshop 2014 (CSW2014)
    • Place of Presentation
      Tsukuba, Japan
    • Year and Date
      2014-08-20 – 2014-08-22
  • [Presentation] Monte Carlo Study of the long-range Coulomb interaction for Junctionless Transistors2014

    • Author(s)
      K. Yoshida, and N. Sano
    • Organizer
      2014 International Workshop on Computational Electronics (IWCE-17)
    • Place of Presentation
      Paris, France
    • Year and Date
      2014-06-03 – 2014-06-06
  • [Presentation] Effect of Impurity Scattering on Mobility in Si Nanowire Junctionless FETs2014

    • Author(s)
      A. Ueda, M. Luisier, and N. Sano
    • Organizer
      2014 International Workshop on Computational Electronics (IWCE-17)
    • Place of Presentation
      Paris, France
    • Year and Date
      2014-06-03 – 2014-06-06
  • [Presentation] ナノ構造での電子輸送と界面:理論的見地から2014

    • Author(s)
      佐野伸行
    • Organizer
      日本学術振興会 産学協力研究委員会 半導体界面制御技術第154委員会, 第91回研究会
    • Place of Presentation
      Tokyo, Japan
    • Year and Date
      2014-05-08
    • Invited

URL: 

Published: 2016-06-01  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi