2014 Fiscal Year Annual Research Report
メモリスタ・抵抗変化型メモリ素子のための新しい電子回路設計基盤の構築
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24360145
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
浅井 哲也 北海道大学, 情報科学研究科, 准教授 (00312380)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | メモリスタ / ReRAM / アナログ電子回路 / シナプス |
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| Outline of Annual Research Achievements |
全研究期間にわたり、不揮発メモリへの応用が盛んな電気回路素子「メモリスタ」のアナログ特性を利用する新しい電子回路の設計基盤を構築した。メモリスタ（M）は、インダクタ（L）, キャパシタ（C）, 抵抗（R）に次ぐ第四の電気基本素子であり、論理回路応用に関する研究は進んでいるものの、アナログ電子回路応用のための学術的基盤は全く整えられていない。これまで申請者らにより設計／実証されてきたメモリスタを組み込んだアナログ電子回路をもとに、設計の基本となる考え方と回路理論を整理・発展させ、第四の電気基本素子を活用した新しい電子回路ための学術基盤を構築し、将来の電子回路工学・エレクトロニクスの発展に寄与することを本研究の目的とした。得られた具体的な成果は以下の3点である：
・申請者らの提案による「C-ReRAMフィルタ回路における電荷保存則」の定式化
・メモリスタ発振回路の設計法の確立（負性抵抗を利用した緩和振動子, 単安定回路）
・メモリスタを用いた脳型学習ハードウェアに関する検討
当初計画していた「メモリスタ増幅器と位相変調器,メムインダクタンスとメムキャパシタンスの回路応用」については、基礎構築はできたものの、応用を見据えた具体的な回路を提唱するには至らなかった。上記研究成果を、業績欄に記載の2冊（2章）の書籍にまとめた。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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