2014 Fiscal Year Annual Research Report
ナノ炭素スピントロニクスのためのフラーレン－遷移金属複合系スピン注入源の研究
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24360266
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| Research Institution | Japan Atomic Energy Agency |
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Principal Investigator |
境 誠司 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 先端基礎研究センター, グループリーダー (10354929)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
圓谷 志郎 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 先端基礎研究センター, 副主任研究員 (40549664)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | フラーレン / ナノ炭素 / スピントロニクス / 分子スピントロニクス / スピン注入 / 界面 / X線吸収 / X線磁気円二色性 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
前年度までのフラーレン(C60)-鉄グラニュラー薄膜の研究で明らかになったC60/鉄界面の高スピン偏極状態の原因機構の究明を目的に界面領域の電子スピン状態の調査を行った。MgO(001)単結晶薄膜上に鉄(001)エピタキシャル薄膜を成長した上にC60単分子層を成長し、フォトンファクトリーBl-7Aにて深さ分解X線磁気円二色性分光の実験を行った。その結果、鉄との相互作用によりC60の最高被占有軌道(HOMO)-最低空軌道(LUMO)のギャップ内やLUMOの直上に新たな状態が生じること等、C60分子の電子状態が大きく変化することが明らかになった。理論計算から、これらの状態はスピン分裂していることや、特にC60分子の界面に近い部分はフェルミレベルに於いてスピン偏極した状態を有することが示された。これらの研究結果は論文発表を予定している。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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