2014 Fiscal Year Annual Research Report
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24360302
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
光田 好孝 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20212235)
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2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | 酸化スズ / 透明導電膜 / 光透過性 / 電気伝導性 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
正孔導電性透明導電膜材料は、新規透明デバイスへの可能性を拓く材料として大きな注目を集めているが,作製が困難を極めている。SnO2中のOをNに理想的に置換することにより正孔伝導性が発現されることが量子計算により明らかにされているが、未だ安定した正孔伝導性のSnO2がNドープにより合成された報告はない。本研究では、SnO2中にNドープし,正孔伝導性を発現させることを目指した。
昨年度までに、レーザーアブレーション法（PLD法）にプラズマを重畳させた、プラズマ支援レーザーアブレーション法（PPLD法）の開発を行うと同時に、PLD法により作製した高配向性ノンドープのSnO極薄膜を酸素プラズマに暴露させてSnO2膜化したシード層を用いて、PPLD法によるSnO2ドープ膜を堆積する手法の開発も行った。これにより、、比較的低温のガラス基板上にSnO2:N膜をPPLD法のみの1プロセスにより堆積することに成功した。すなわち, SnO2の結晶化を促進するための、堆積中の高い基板温度や堆積後のアニール処理が不要となっている。
本年度は、この堆積法を用いて、NドープSnO2膜による正孔導電性の発現を試みた。Nドープ量を制御することは可能となり、高い透明度を示す膜を堆積できたが、残念ながら、全ての膜が電子導電性を示した。これは、ドープしたNが、Oサイトに置換されておらず、酸素空孔を生成する反応を引き起こした結果、電子導電性を示したものと考えられる。しかし、約2％のNドープ膜では、5e-2Ωcmという低い電気抵抗を示しており、新たな透明導電膜としての実用可能性を示すことができたと云える。
以上の成果を、これから論文等にて発表していく予定である。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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