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2014 Fiscal Year Annual Research Report

トポロジカル絶縁体の電子構造の理論計算

Research Project

Project/Area Number 24540328
Research InstitutionNihon University

Principal Investigator

石田 浩  日本大学, 文理学部, 教授 (60184537)

Project Period (FY) 2012-04-01 – 2015-03-31
Keywordsトポロジカル絶縁体 / スピン軌道相互作用 / スピントロニクス / 表面Diracバンド / 密度汎関数法 / 動的平均場理論 / embedded Green関数法 / Rashba効果
Outline of Annual Research Achievements

密度汎関数法の範囲の第一原理計算、および動的平均場理論を用いた多体計算により、2および3次元トポロジカル絶縁体の電子・スピン物性を研究した。
第一原理計算に関しては、エムベッディッドGreen関数法の計算プログラムにスピン軌道(SO)相互作用を組み入れ半無限表面を計算した。これにより、表面局在状態とバルクバンドの連続準位を明確に区別することができた。例として、Bi(111)、Sb(111)の電子構造を計算して、前者はトポロジカルに自明、後者は非自明な直接ギャップ絶縁体であることを、表面バンドのエネルギー分散関係から示した。またBi、Sb(111)の表面バンドのΓ点のスピン分裂が、p_{x,y}とp_z軌道成分の間のSO行列要素から生じることを示した。関連して、Au、Ag、Cu(111)のL-gap表面バンドの場合は、Γ点付近のスピン分裂が、d_{z2}とd_{xz, yz}軌道成分の間のSO行列要素から生じることを示し、CuがAgより大きなスピン分裂を示す機構を解明した。Bi2Se3表面の電子構造を計算して、表面バンドのエネルギー分散関係を、エムベッディングポテンシャルの零点・極と関連付けて議論した。
電子相関がトポロジカル絶縁体に及ぼす影響を調べるため、2次元トポロジカルバンド絶縁体と、トポロジカルには自明なMott絶縁体の界面における電子構造を、Hubbard型のクーロン反発力を取り入れたBernevig-Hughes-Zhang2バンドハミルトニアンと動的平均場理論を用いて調べた。2つの絶縁体相は、同一のSO相互作用を持つが、クーロン反発エネルギーの違いにより相転移を起こす。界面における近接効果により、Mott絶縁体側の界面原子層がトポロジカル絶縁体に相転移して、その結果、トポロジカル絶縁体を特徴づける局在エッジ状態が、Mott絶縁体内部へ侵入することが分った。

  • Research Products

    (5 results)

All 2015 2014 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results,  Acknowledgement Compliant: 2 results) Presentation (1 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Electronic structure of the 4 × 4 silicene monolayer on semi-infinite Ag(111)2015

    • Author(s)
      H. Ishida, Y. Hamamoto, Y. Morikawa, E. Minamitani, R. Arafune, N. Takagi
    • Journal Title

      New Journal of Physics

      Volume: 17 Pages: 015013-[1-8]

    • DOI

      10.1088/1367-2630/17/1/015013

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Rashba spin splitting of Shockley surface states on semi-infinite crystals2014

    • Author(s)
      H. Ishida
    • Journal Title

      Physical Review B

      Volume: 90 Pages: 235422-[1-15]

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.90.235422

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Buried topological edge state associated with interface between topological band insulator and Mott insulator2014

    • Author(s)
      H. Ishida, A. Liebsch
    • Journal Title

      Physical Review B

      Volume: 90 Pages: 205134-[1-11]

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.90.205134

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] Novel topological insulator phase induced by proximity effects at the interface between a topological band insulator and a Mott insulator: A layer DMFT approach2014

    • Author(s)
      H. Ishida, A. Liebsch
    • Organizer
      New Trends in Topological Insulators 2014
    • Place of Presentation
      ベルリン、ドイツ連邦共和国
    • Year and Date
      2014-07-07 – 2014-07-10
  • [Remarks] 石田研究室・研究内容

    • URL

      http://zwo.phys.chs.nihon-u.ac.jp/research.html

URL: 

Published: 2016-06-01  

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