2014 Fiscal Year Annual Research Report
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24550244
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| Research Institution | Osaka Municipal Technical Research Institute |
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Principal Investigator |
渡瀬 星児 地方独立行政法人大阪市立工業研究所, 電子材料研究部, 研究主任 (60416336)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
松川 公洋 地方独立行政法人大阪市立工業研究所, 電子材料研究部, 研究部長 (90416321)
渡辺 充 地方独立行政法人大阪市立工業研究所, 電子材料研究部, 研究主任 (70416337)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | 有機無機ハイブリッド / シルセスキオキサン / 金属錯体 / 薄膜材料 / 半導体 / 電界発光素子 / りん光薄膜 / エネルギー移動 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、シルセスキオキサンにホールまたは電子輸送性を示す化合物をハイブリッド化したハイブリッド半導体の創製と、これにりん光発光性の金属錯体を共ハイブリッド化したりん光ハイブリッド薄膜を作製し、これを発光層に用いたハイブリッド電界発光素子を構築することを目的としている。平成２６年度は、ホール輸送性のシルセスキオキサンとユーロピウム錯体とを、分子間相互作用を介してハイブリッド化したりん光薄膜の作製と電界発光素子への応用について検討した。ホール輸送性付与のためにカルバゾール基を導入したシルセスキオキサンとユーロピウム錯体をハイブリッド化すると、ユーロピウム錯体のβジケトン配位子を選ぶことによって、カルバゾール基由来の発光がユーロピウム錯体によって完全に消光され、ユーロピウム由来の発光のみを示すハイブリッド薄膜を作製できることがわかった。この時、励起スペクトルにはカルバゾール基由来の吸収が重ね合わされており、カルバゾール基が吸収した光エネルギーがユーロピウムへと移動して発光することがわかった。このことから、この薄膜ではハイブリッド化により見掛け上の吸収断面積が増加する増感発光を示していると考えられた。このハイブリッド薄膜を発光層に用いた電界発光素子では電圧の印加に伴って電流が注入され、ユーロピウム由来の赤色発光を示したが、カルバゾール基由来の青色発光は消光された。このことはカルバゾール基上でホールと電子が再結合して生成した励起状態は速やかにユーロピウム錯体によって消光されることを示しており、ハイブリッド薄膜内においてカルバゾール基が電気エネルギーのメディエータとして働き、ユーロピウムの電界発光を増強していると考えられた。以上、本研究によって、電界発光特性を有するりん光ハイブリッド薄膜の創製し、ハイブリッド特有の発光機構を明らかにすることができた。
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