2012 Fiscal Year Research-status Report
近接場走査型顕微鏡によるＩｎＧａＮ発光デバイスの点滅発光現象の研究
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24560014
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | Yokohama City University |
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Principal Investigator |
ミケレット ルジェロ 横浜市立大学, 生命ナノシステム科学研究科, 教授 (50397600)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | 発光デバイス / InGaN / 近接場 / 評価方法 |
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| Research Abstract |
本研究は、半導体発光デバイスの点滅現象に関する実験を行い、デバイスの特性を評価する方法の開発を目標としている。24年度の最初の一年では、以下のポイントを達成した：
実験側研究：１）共同研究者と打ち合わせ、研究プランを作成した２）測定装置のスペックを決めた３）微弱発光計数装置を含め、いくつかの測定装置を購入した４）購入した測定装置のテスト及び調整実験を行った
理論側研究：５）点滅現象の実験の理論を勉強した（京都大学の打ち合わせ、共同研究）６）点滅現象に関する、Ab-initioシミュレーションソフトを確立した７）Ab-initioシミュレーションの最初のテストを始めた
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
今までの研究の達成率３３％ですが、実際は２０％～２５％位と思っています。
一番大きい理由は、購入予定設備の決定が遅かったことであると考えられます。
「微弱発光計数装置]は浜松ホトニクスのC9692-11に決めましたが、決めるための議論が長引いてしまいました。発光デバイスの実験のために、点滅現象を観測できる検出方法を確立して、購入することになりました。
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| Strategy for Future Research Activity |
今後の研究は、理論サイドと実験サイドの二つにわかれて行います。
実験サイド：１）高感度光センサーを頂いたので、「微弱発光計数装置」の調整と、その装置の働く最適パラメータを決める研究活動を行う２）近接場走査型顕微鏡及び選択励起顕微鏡を用いて、点滅するInGaN試料を調べる３）InGaN試料のタイプに対して、点滅現象の特性の評価を出来る実験を行う。点滅現象を測定したら、試料のタイプ、Quality等は分かるかどうかを調べる。理論サイド：１）InGaNの原子構造をモデルにして、試料の光学特性を調べる２）欠陥、不純物などによる影響を調べる３）Ab-Initioのシミュレーションを使って、点滅現象の深い原理を調べる。
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| Expenditure Plans for the Next FY Research Funding |
25年度の研究費は大体８０万円を予定しています。
１）ナノプローブ（近接場走査型顕微鏡のため）、光学部品など、30万円
２）国際学会、国内出張は35万円
３）その他、15万円
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