2013 Fiscal Year Research-status Report
へき開共振器ミラーを有する非極性ＧａＮ基板上緑色半導体レーザに関する研究
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24560385
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| Research Institution | Kanazawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
山口 敦史 金沢工業大学, 工学部, 教授 (60449428)
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| Keywords | GaN / 窒化物半導体 / 半導体レーザ / 価電子帯 / 偏光特性 / へき開共振器ミラー |
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| Research Abstract |
本研究の目的である「半極性GaN基板上に作製した劈開共振器ミラーを有する窒化物半導体レーザ」を実現し、その有用性を確かめるため、理論的研究を継続した。前年度に現実的な光学利得を計算するための数値計算プログラムを作成したため、それを用いて様々な検討を行った。これまでに世界各国の研究機関から報告されている実験データをすべて調査し、それらすべての実験データを矛盾なく説明できるように、材料パラメータを決定する作業を行った。この結果について国際会議に投稿し、８月に発表予定である。その一方で、実験的な研究も継続している。前年度までに、レーザの光学利得を測定するためのvariale Stripe Length法の実験系を立ちあげるとともに、顕微偏光PL測定系、偏光PLE測定系を完成させたが、今年度がそれらの測定系を用いて実際のサンプルの測定を行うとともに、さらにこれらの測定を極低温で行うためのシステム構築を行っている。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
理論的な研究は順調に進んでいるが、実験的な研究については、協力企業の都合もあり必ずしも計画どおりに進んでいない側面もある。ただ、確実に前には進んでいる。
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| Strategy for Future Research Activity |
理論研究においては、これまで取り扱ってこなかったIn組成揺らぎの効果を計算に取り入れるようにする計画である。InGaN量子井戸レーザの特性に、In組成揺らぎは非常に大きな影響を及ぼしていることは明らかなので、これを計算に取り入れて、その物理を解明するとともに、より現実的な理論予測ができるようにしていきたい。一方、実験的には実際に低角半極性GaN基板上のInGaN量子井戸構造において、光学利得を測定して、本提案構造の優位性を示すことを最優先したい。
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| Expenditure Plans for the Next FY Research Funding |
前年度からの繰越金\2,356は、端数として残った残金であり、この金額を無理に使い切るよりも、次の年度に新たな助成金と合わせて研究目的に沿った物品購入に使うべきだと判断した。
新たな助成金と合わせて研究目的に沿った物品購入に使う。
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