2015 Fiscal Year Annual Research Report
導電コア高分子ファイバーによる同時多極マイクロ導通センシングデバイス
Project/Area Number |
24651160
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
齋藤 滋規 東京工業大学, 理工学研究科, 准教授 (30313349)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
鞠谷 雄士 東京工業大学, 理工学研究科, 教授 (70153046)
高橋 邦夫 東京工業大学, 理工学研究科, 教授 (70226827)
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Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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Keywords | マイクロコンタクト / マイクロセンサー / IC / 導通 / プローブ / 高分子 / リソグラフィー / 表面電位 |
Outline of Annual Research Achievements |
本研究では,半導体集積回路(IC)や微小電子機械(MEMS)などにおけるマイクロ領域の導通テストを同時多極に可能にするセンシングデバイスを開発することを目的とする.具体的には,半導体シリコンウエハなどの表面上に高密度に作成された電極などに対して,凹凸や高低差がある場合にでも対応できるように機械的なコンプライアンス(柔らかさ)を持った導通センシング用の導電コア高分子ファイバープローブを開発し,それを用いて同時多極マイクロ導通センシングデバイスを実現することにある. 26年度までの成果を受けて,同時多極マイクロセンシングデイバスの可能性は,導通デバイス以上に表面電位計測にあるという理解に至った.そのため,27年度には,対象の表演電位分布計測に焦点を絞り,「表面電位計測時における走査型プローブの複数本化によるプローブ間静電力の影響」について検討を行った.(基礎的な検討として,超弾性ワイヤーの先端にタングステン球を取り付けたラージモデルのプローブを用いた実験と有限要素法解析との結果を対照させて検討を行った.)その結果,プローブの複数化(同時多極化)を行った際,複数プローブの計測値がどのように相互に影響を与えるかについて理解が進み,表面電位計測値の較正法についての知見を得ることができた. これらの成果を更に発展させることにより,今後は,生体試料の表面電位分布などをリアルタイムに計測するための新たな手法を開発することも期待される.
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