2015 Fiscal Year Annual Research Report
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24654054
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
柏木 茂 東北大学, 電子光理学研究センター, 准教授 (60329133)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
日出 富士雄 東北大学, 電子光理学研究センター, 准教授 (60292207)
栗木 雅夫 広島大学, 先端物質科学研究科, 教授 (80321537)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 偏極電子ビーム / リニアコライダー / エミッタンス交換 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
平成27年度はDAW型の高周波電子銃の最終的なデザイン設計を決定した、このDAW型空洞は十分な真空の排気速度が期待できる構造となっている。また、KEK-STFでのビームラインを仮定した水平・垂直方向のエミッタンス交換による超高品質フラットビーム生成に関するシミュレーションスタディーを完了し、リニアコライダーなどで必要とされる高いアスペクト比をもった電子ビーム生成の可能性を明らかにすることができた。
また本研究の1つの柱である偏極電子源については研究分担者である栗木を中心に行なってきた。スピン偏極電子源として実績のあるNEA-GaAs光陰極は、RF電子銃での使用にはCs-OによるNEA表面の脆弱生を克服することが課題である。ヘテロ接合モデルによると、仕事関数がGaAsのエネルギーバンドギャップよりも小さい物資をGaAs表面に薄膜接合すると、実効的なNEA表面が形成されることが予測される。そこで我々は、高い耐久性が知られているCs-Te薄膜をGaAs上に生成し、光電子生成を試みた。光電効果の量子効率を光の波長の関数として測定したところ、GaAsのエネルギーバンドギャップに相当する1.4eVにおいて有限の量子効率が観測され、Cs-Te薄膜によるGaAsのNEA活性化に成功したことがしめされた。これにより、ヘテロ接合による実効的NEA表面の形成が可能であることを実証することができた。本研究の成果をもとに今後の偏極電子源開発においては、Cs-Te NEA GaAsの量子効率および耐久性の評価をすすめるとともに、より適切な表面薄膜の探索により、高耐久スピン偏極電子源の実現が見込めると考える。
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