2014 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
24655173
|
|---|
| Research Institution | Kyoto Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
堀田 収 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 教授 (00360743)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
|
| Keywords | 浮遊ゲート / 金属酸化物半導体 / 有機結晶 / 発光トランジスタ / 移動度 / 電子注入極 / 正孔注入極 |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
金属酸化物半導体薄膜にアルミニウムをドープした酸化亜鉛（AZO）および有機半導体層に気相法で成長した結晶を用い、ゲート絶縁膜の上にAZO薄膜と有機結晶を順に積層した浮遊ゲート発光トランジスタを構築した。しかしながら、本研究において、これまでに有機層にアモルファス膜の代わりに結晶膜を用いたデバイスでは、発光を観察するために高い電圧（100 V以上）の印加が必要であるという難点があった。
これらの研究の現状に鑑みて、今年度は以下のような改良を加えた。①AZO薄膜上に貼り付けた有機結晶をマスクとして用いてAZO薄膜をエッチングした。AZOが有機結晶の面積より一回り小さくなるようエッチングできるため、ソースやドレイン電極との意図しない接触（短絡）を防ぐことができた。本手法によって有機結晶とAZOの密着性が向上し、チャネル部分（ソースとドレイン電極の中間部分）から安定した発光を観測することに成功した。
②有機結晶を用いた発光トランジスタを作製するに当たり、ソースとドレイン金属電極の形成時にパーティションで両電極の形成場所を仕切って双方の電極材料が混合しないように工夫した。さらに、これらの電極金属を酸化物や炭酸塩で修飾して正孔および電子の注入効率を向上させた結果、100 V以下の印加電圧で高輝度発光が実現できることを明らかにした。
以上のように、本年度の成果として、比較的低電圧の印加でトランジスタのチャネル部分から安定した発光を生み出すデバイスを作製することに成功した。
|
