2013 Fiscal Year Annual Research Report
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24656086
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
宮崎 則幸 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授 (10166150)
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| Keywords | 複屈折 / 残留応力 / クリープ変形 / 有限要素法 |
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| Research Abstract |
本研究では、単結晶育成から素子形成までの全プロセスにおける複屈折現象を定量的に評価するための解析システム、すなわち半導体リソグラフィー用光学素子評価システムを構築することを研究目的する。そのために平成24年度には、半導体リソグラフィー装置の光学素子として用いられるフッ化カルシウム単結晶を対象として、単結晶インゴットアニール工程の残留応力を評価するサブシステムの構築を行い、インゴットアニール後の複屈折に関して、シミュレーション結果を実験結果とを比較することによりシミュレーション手法の妥当性を検証した。平成25年度には、前年度の研究成果をもとに、下記の研究項目を実施した。
(1)前年度に開発した単結晶インゴットアニール工程における残留応力評価するサブシステムを、他のサブシステム（単結晶育成工程における残留応力評価サブシステム、素子切り出し工程における残留応力評価サブシステム、複屈折評価サブシステム）を直列に連結して、必要な情報のやり取りをするためのインターフェースを整備することによって、半導体リソグラフィー用光学素子評価システムを完成させた。
(2)開発した半導体リソグラフィー用光学素子評価システムを検証するために、フッ化物単結晶製造メーカと共同研究を実施して、インゴットおよび素子の光路差分布の解析値と実験結果を比較した。
このような、半導体リソグラフィー用光学素子評価システムを用いて、各工程のプロセス温度、プロセス時間に関する情報を与えた。
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