2013 Fiscal Year Annual Research Report
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24656196
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
本久 順一 北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (60212263)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐藤 威友 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)
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| Keywords | 半導体ナノワイヤ / 多孔質構造 / GaN / InGaN / プラズマ支援分子線エピタキシー法 / 選択成長 / 光支援電気化学エッチング / 光電極 |
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| Research Abstract |
平成25年度は半導体ナノワイヤをベースとした新規水素発生材料の開発のため以下の検討を行った。
(1) GaNナノ構造の形成:GaN系ナノワイヤ形成を目的として、プラズマ支援分子線エピタキシー法(rf-MBE法)を用いたGaNの選択成長を行った。平成25年度は特にマスク材料としてタングステン(W)を用い、これまでに用いてきたSiO2マスクと差について検討してた。その結果、WマスクではSiO2マスクの場合と比較し、マスク部での堆積も存在するが、開口部への成長が増大していることが明らかとなった。この差は、マスク材料と原料であるGaとの親和性に起因し、W表面ではよりGaが再蒸発しにくためと考えられる。これにより、より水素発生に適したナノワイヤ形状のGaNナノ構造が形成できる見通しを得た。
(2) 光支援電気化学エッチングを用いて作製したGaN多孔質構造の光電極特性を明らかにするため、NaCl溶液中で光照射のもと電流-電圧特性を評価した。多孔質構造では、加工前の平坦GaN基板と比較して非常に大きな光電流が流れることが明らかとなり、このことから水を効率的に分解する水素発生用材料としてナノ構造の有望性を示した。
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