2012 Fiscal Year Research-status Report
多機能ハイブリッド集積回路を可能とする異種材料混載化技術の創出
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24656209
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
宮尾 正信 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 特任教授 (60315132)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐道 泰造 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 准教授 (20274491)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| Keywords | 電子デバイス・機器 / 集積回路 / 結晶成長 |
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| Research Abstract |
本研究では、電子・光・スピン機能を混載した多機能ハイブリッド集積回路の基盤技術の創出を目指し、申請者独自のSiGe 結晶成長技術を活用し、絶縁膜上におけるSi1-XGeX(0≦X≦1)単結晶の創成を行う。本年度は、２年計画の第１年度として、下記の研究を行った。
絶縁膜を介した多段テンプレートを実現するには、まず、初段のテンプレートとなるSi1-XGeX(0≦X≦1)層を絶縁膜上に形成する必要がある。そこで、溶融成長法を用いて、横方向にGe組成の異なるSiGe混晶を絶縁膜上にヘテロ成長する手法を検討した。電子顕微鏡法による詳細解析を行い、形成層は高い結晶性を有することを明らかにした。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
綿密な実験計画を立てて研究を推進しているので、おおむね順調に進展している。
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| Strategy for Future Research Activity |
現在までほぼ計画通りに進行しているので、特に研究計画の変更は考えていない。
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| Expenditure Plans for the Next FY Research Funding |
該当なし。
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