2012 Fiscal Year Annual Research Report
重い電子系/絶縁体人工超格子による2次元近藤格子系の創製
Project/Area Number |
24684027
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Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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Research Institution | Osaka Prefecture University |
Principal Investigator |
宍戸 寛明 大阪府立大学, 工学研究科, 助教 (80549585)
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Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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Keywords | 重い電子系 / 薄膜 / CeB6 / SmB6 |
Research Abstract |
本研究では今までに報告がない重い電子系/絶縁体の人工超格子の作製を目指すものである.申請者はそのターゲットとして重い電子化合物CeB_6と,同じ結晶構造を持つ近藤絶縁体SmB_6を選んだ.研究プロジェクトの初年度である平成24年度は成膜装置の立ち上げとCeB_6およびSmB_6のエピタキシャル膜の成膜法を模索した.成膜は分子線エピタキシー法を用いることとし,装置の立ち上げを行った.最終的に成膜時の真空度10^<-7>Pa台,蒸着速度1~2A/minでの安定した蒸着を行える性能を得ることに成功した.これには他に類を見ない,高温Kセルによる安定的なBの蒸着法を確立できたことが大きい.高融点低蒸気圧のBに対しては通常は電子ビーム蒸着が用いられ,Kセルによる加熱蒸着の例は少ない.しかしながら本研究で目指すような超高真空下での極めて低い蒸着レートでの安定した蒸着にはKセルによる穏やかで安定してる蒸着方法が有利である.そこで申請者は1900℃程度まで昇温できる高温Kセルを組み合わせて,昇華による蒸着法を確立した.これにより,前述のような低い蒸着レートでも再現性良く,安定した成膜を行うことに成功した.このようなた立ち上げに成功した装置を用いて,CeB_6およびSmB_6の薄膜作成を行い,c軸配向膜を得ることに成功した.c軸配向性は表面での反射高速電子線回折で観測されたパターンとX線回折により確かめられた.また,電気抵抗測定からCeB_6が近藤効果を示すこと,SmB6が絶縁体的なふるまいを示すことを確認し,得られたc軸配向膜でもバルク単結晶の性質を再現できていることが確認できた.
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
分子線エピタキシー装置の立ち上げに成功し,当初の予定通り加熱蒸着によるBの蒸着法を確立できた.CeB_6,SmB_6についてもc軸配向の成膜に成功し,バルク単結晶の性質を再現できることが明らかに出来た.
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Strategy for Future Research Activity |
CeB_6およびSmB_6のエピタキシャル膜の成膜法を確立し,CeB_6/SmB_6人工超格子を作製する.得られた人工超相子について低温までの輸送係数測定を行い,その電子状態の変化を明らかにする.
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[Journal Article] Anomalous superfluid density in quantum critical superconductors2013
Author(s)
K. Hashimoto, Y. Mizukami, R. Katsumata, H. Shishido. M. Yamashita, H. Ikeda, Y.Matsuda, I. A. Schlueter, J. D. Fletcher, A. Carrington, D. Gnida, D. Kaczorowski, and T. Shibauchi
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Journal Title
Proceedings of the National Academy of Sciences of theUnited States of America
Volume: 110
Pages: 3293-3297
DOI
Peer Reviewed
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[Journal Article] Cyclotron Resonance in the Hidden-Order Phase of URu2Si22012
Author(s)
S. Tonegawa, K. Hashimoto, K. Ikada, Y. -H. Lin, H. Shishido、Y.Haga, T. D.Matsuda, E. Yamamoto, Y. Onuki, H. Ikeda, Y. Matsuda, and T. Shibauchi
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Journal Title
Physical Review Letters
Volume: 109
Pages: 036401-1 ? 036401-5
DOI
Peer Reviewed
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[Journal Article] Anomalous Upper Critical Field in CeCoIn5/YbCoIn5 Superlattices with aRashba-Type Heavy Fermion Interface2012
Author(s)
S. K. Goh, Y. Mizukami, H. Shishido, D.Watanabe, S. Yasumoto, M. Shimozawa, M.Yamashita, T. Terashima, Y. Yanase, T.Shibauchi, A. I. Buzdin, and Y. Matsuda
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Journal Title
Physical Review Letters
Volume: 109
Pages: 157006-1 - 157006-5
DOI
Peer Reviewed
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[Presentation] 中性子小角散乱実験によるCeCoIn5の磁束格子構造の印加磁場方向依存性と磁場侵入長の異方性2013
Author(s)
池博子, P. Das, 河村聖子, A. S.Camron, E. M. Forgan, M. R.Eskildsen, B. Lake, A.Wiedenmann, K. Kiefer,宍戸寛明、芝内孝禎,松田祐司,古川はづき
Organizer
日本物理学会第68回年次大会
Place of Presentation
東広島
Year and Date
2013-03-29
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[Presentation] 運動インダクタンス法によるMgB,超伝導ナノワイヤ中性子検出器III2013
Author(s)
吉岡直人,八木行太郎,鳴神吉人,児玉陽平,宍戸寛明,宮嶋茂之,藤巻朗,三木茂人,王鎮,町田昌彦,石田武和
Organizer
日本物理学会第68回年次大会
Place of Presentation
東広島
Year and Date
2013-03-26
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[Presentation] 走査型パルスレーザー励起による超伝導検出器の位置依存性VIII2013
Author(s)
鳴神吉人,吉岡直人,八木行太郎,児玉陽平,宍戸寛明,宮嶋茂之,藤巻朗,三木茂人,王鎮,町田昌彦,石田武和
Organizer
日本物理学会第68回年次大会
Place of Presentation
東広島
Year and Date
2013-03-26
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[Presentation] 電流バイアス運動インダクタンス法によるMgB2超伝導中性子検出器の開発2012
Author(s)
吉岡直人,八木行太郎,鳴神吉人,児玉陽平,宍戸寛明,宮嶋茂之,藤巻朗,三木茂人,王鎮,町田昌彦,石田武和
Organizer
第11回低温工学・超伝導若手合同講演会
Place of Presentation
大阪
Year and Date
2012-12-07
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[Presentation] URu2Si2の隠れた秩序相におけるサイクロトロン共鳴2012
Author(s)
宍戸寛明,利根川翔,橋本顕一郎,井加田洸輔, Y. H. Lin,池田浩章,芝内孝禎,芳賀芳範,松田達磨,山本悦嗣,大貫惇睦,松田祐司
Organizer
新学術領域研究「重い電子系の形成と秩序化」ワークショップ
Place of Presentation
沖縄(招待講演)
Year and Date
2012-11-24
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[Presentation] 運動インダクタンス法によるMgB2超伝導ナノワイヤ中性子検出器II2012
Author(s)
吉岡直人,八木行太郎,鳴神吉人,児玉陽平,宍戸寛明,四谷任,宮嶋茂之,藤巻朗,三木茂人,王鎮,町田昌彦,石田武和
Organizer
日本物理学会2012年秋季大会
Place of Presentation
横浜
Year and Date
2012-09-20
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[Presentation] Two Dimensional Superconductivity in Heavy Fermion Artificial Superlattices2012
Author(s)
H. Shishido, Y. Mizukami, T.Shibauchi, M. Shimozawa, S. Yasumoto, D.Watanabe, M.Yamashita, H. Ikeda, T. Terashima, H. Kontani, and Y.Matsuda
Organizer
The Fourth International Workshop on the Dual Nature ofF-electrons
Place of Presentation
姫路(招待講演)
Year and Date
2012-07-04