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2012 Fiscal Year Annual Research Report

太陽光スペクトルに近い究極的な照明用・蛍光体フリー・白色LED

Research Project

Project/Area Number 24686003
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

Research InstitutionMeijo University

Principal Investigator

岩谷 素顕  名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)

Project Period (FY) 2012-04-01 – 2015-03-31
KeywordsGaN / GaInN / LED / 貼り合わせ技術 / プラズモン / レーザ剥離技術 / 不純物の添加 / ナノ粒子
Research Abstract

本研究課題では、発光強度を高めると同時にブロード発光を実現するための手法の開拓、Moth-eye構造や多層膜反射鏡技術などの『光制御技術』および『光/電子透過型・貼り合わせ技術』を活用することによって、新しい原理を持った白色LEDの実現を目指している。具体的には、複数のドナー・アクセプタ不純物の添加、格子の異なる原子(Sb、B等)の添加、量子効果・表面(界面)準位・ナノ金属の活用などこれまで報告例のない新しい手法を適用することによって、極めてブロードかつ高効率発光を実現すること、さらには貼り合わせ技術やレーザ剥離技術を活用することによって新しいデバイスプロセス作製技術を構築することが目的となっている。
本年は、3年計画の1年目であるため、各要素技術の構築を進めた。格子の異なる不純物の添加においてはアンチモンの添加を検討し、これまでに報告されているものに比べ1ケタ程度高いアンチモンモル分率を持つデバイスを実現可能であることを明らかにした。また、アンチモン添加によって表面平坦性の改善などが可能であることを明らかにした。さらに、GaInN活性層の上にAgやAuなどのナノ粒子を形成し、その内部量子効率がどのようになるかを検討し、特に緑色領域の発光効率の改善が可能であることを明らかにした。さらに光と電子を透過することができるITO電極を用いた貼り合わせ技術、レーザ剥離技術などデバイスプロセス技術を構築進めた。これらの成果は学会発表4件、論文発表47件(招待講演6件)などで公開しており、学術的にも大きな貢献を行ったと思われる。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

1: Research has progressed more than it was originally planned.

Reason

当初の予定では、平成24年度は革新的な白色LEDを実現するために必要不可欠な要素技術の確立を目指す予定でした。それらの検討を行ったところ、当初予定していなかった表面平坦性の改善、さらには緑色領域の発光素子〓善などの成果が得られた。また、レーザ剥離技術に関しては紫外LEDへの適用が可能となるなど、他のデバイスも達成した。以上より、(1)の区分が妥当と判断した。

Strategy for Future Research Activity

本研究課題では、貼り合わせ技術を活用し、ブロード発光層を活用した革新的な白色LEDの実現を最終的なター〓トとしている。今後必要なこととして、実際にデバイスに適用した時に、どのようなデバイス性能が得られる〓特に組み合わせたときにどのような効果があるのかなど、総合的に評価する必要があると思われ、研究計画を〓ながら最終目標を実現できるように研究を推進していく予定である。

  • Research Products

    (52 results)

All 2013 2012

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (47 results) Book (1 results)

  • [Journal Article] Analysis of strain relaxation process in GaInN/GaN heterostructure by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor-phase epitaxial growth2013

    • Author(s)
      D. Iida, Y. Kondo, M. Sowa, T. Sugiyama, M. Iwaya, I. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • Journal Title

      Physica Status Solidi RRL

      Volume: 7 Pages: 211-214

    • DOI

      DOI:10.1002/pssr.201307023

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Laser lift-off of AIN/sapphire for UV light-emitting diodes2012

    • Author(s)
      H Aoshima, K. Takeda, K. Takehara. S. Ito, M. Mori、M Iwaya, T. Takeuchi. S. Kamiyama, I. Akasaki, R Amano
    • Journal Title

      physica status solidi C

      Volume: 9 Pages: 753-75

    • DOI

      DOI:10.1002/pssc.201100358

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Indium-Tin Oxide/Al Reflective Electrodes for Ultraviolet Light-Emit Diodes2012

    • Author(s)
      K. Takehara, K. Takeda, S. Ito, H. Aoshiia. M. Iwaya. T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 51 Pages: 042101-1

    • DOI

      DOI:10.1143/JJAP.51.042101

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] White light-emitting diode based on fluorescent SiC2012

    • Author(s)
      S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, R. Yakimova, M. Syvajarvi
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 522 Pages: 23-25

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2012.02.017

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] GaInNトンネル接合素子の低抵抗化2013

    • Author(s)
      森田隆敏、加賀 充、桑野侑香、松井健城、渡邉雅大、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤崎 勇
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木
    • Year and Date
      20130326-20130330
  • [Presentation] GaN低温成長におけるSb添加の効果2013

    • Author(s)
      鈴木智行、笹島浩希、松原由布子、加賀 充、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤崎勇
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木
    • Year and Date
      20130326-20130330
  • [Presentation] LED構造上GaNトンネル接合の低抵抗化2013

    • Author(s)
      南川大智、加賀 充.岩谷素顕.竹内哲也、上山 智、赤崎勇
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木
    • Year and Date
      20130326-20130330
  • [Presentation] ナノELOによるm面GaInN厚膜の検討2013

    • Author(s)
      小崎桂矢、近藤真一郎、土屋貴義、岩谷素顕、上山 智、竹内哲也、赤崎 勇
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木
    • Year and Date
      20130326-20130330
  • [Presentation] MOVPEにより作製したGaInN/GaN超格子構造のその場観察X線回折法による評価2013

    • Author(s)
      山本秦司、飯田大輔.近藤保成、曽和美保子、岩谷素顕、竹内哲也.上山 智,赤崎 勇
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木
    • Year and Date
      20130326-20130330
  • [Presentation] 表面プラズモンカップリングを利用したGaInN/GaN量子井戸の評価2013

    • Author(s)
      飯田大輔、Yuntian Chen、Yiyu Ou、Ahmed Fadil, Oleksii Kopylov、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、Haiyan Ou
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木
    • Year and Date
      20130326-20130330
  • [Presentation] モスアイ加工サファイア基板によるLEDの光取り出し効率の改善2013

    • Author(s)
      上屋貴義、梅田慎也、曽和美保子、河合俊介、近藤俊行、北野 司、森みどり、鈴木敦志、赤崎 勇、関根 均、難波江宏一、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木
    • Year and Date
      20130326-20130330
  • [Presentation] 横方向p型活性化における雰囲気ガス依存性2013

    • Author(s)
      桑野佑香、加賀 充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智,赤崎 勇
    • Organizer
      第60回応用物瑾学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木
    • Year and Date
      20130326-20130330
  • [Presentation] 窒化物半導体二波長発光ダイオードにおける発光強度比の安定性2013

    • Author(s)
      松井健城、山下浩司、加賀 充、森田隆敏、鈴木智行、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤崎 勇
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木
    • Year and Date
      20130326-20130330
  • [Presentation] Influence of growth interruption on performance of nitride-based blue LED2013

    • Author(s)
      K. Aoyama, A. Suzuki. I. Kitano, N. Sone. S. Kamiyama. T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
    • Organizer
      SPIE Photonic west 2013
    • Place of Presentation
      San Francisco, USA
    • Year and Date
      20130202-20130208
  • [Presentation] Introduction of the Moth-eye patterned sapphire substrate technology for cost effective high-performance LED2013

    • Author(s)
      K. Naniwae, M. Mori, T. Kondo, A. Suzuki, T. Kitano, S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi. I. Akasaki
    • Organizer
      SPIE Photonic west 2013
    • Place of Presentation
      San Francisco, USA
    • Year and Date
      20130202-20130208
  • [Presentation] Fabrication of moth-eye patterned sapphire substrate (MPSS) and influence of height of corns on the performance of blue LEDs on MPSS2013

    • Author(s)
      S. Mizutani, S. Nakashima, M. Iwaya. T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, T. Kondo, F. Teramae, A. Suzuki, T. Kitano, M. Mori, M. Matsubara
    • Organizer
      SPIE Photonic west 2013
    • Place of Presentation
      San Francisco, USA
    • Year and Date
      20130202-20130208
  • [Presentation] Observation group III nitrides semiconductors by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor phase epitaxy growth2012

    • Author(s)
      Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • Organizer
      2012 Collaboractive Conference on Crystal Growth
    • Place of Presentation
      Orland, USA
    • Year and Date
      20121211-20121214
  • [Presentation] サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用2012

    • Author(s)
      土屋貴義、梅田慎也、曽和美保子、近藤俊行、北野司、森みどり、鈴木敦志、難波江宏一、関根 均、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎 勇
    • Organizer
      電子情報通信学会ED、CPM、LQE合同研究会
    • Place of Presentation
      大阪
    • Year and Date
      20121129-20121130
  • [Presentation] n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化2012

    • Author(s)
      桑野侑香、加賀 充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤崎
    • Organizer
      電子情報通信学会ED、CPM、LQE合同研究会
    • Place of Presentation
      大阪
    • Year and Date
      20121129-20121130
  • [Presentation] Analysis of crystal growth on group III nitrides by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor phase epitaxy2012

    • Author(s)
      Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • Organizer
      2012 International Symposium on Crystal Growth
    • Place of Presentation
      Soul, Korea
    • Year and Date
      20121114-20121117
  • [Presentation] 窒化物半導体太陽電池の高効率化2012

    • Author(s)
      岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    • Organizer
      第42回結晶成長国内会議
    • Place of Presentation
      福岡
    • Year and Date
      20121109-20121111
  • [Presentation] Realization of high efficiency nitride-based solar cells2012

    • Author(s)
      I Iwaya, M. Mori, S. Kondo, S. Yamamoto, T. Nakao. T. Fujii, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, E Amano
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] Optimization of crystalline quality of GaN using low temperature buffer layer by in situ X-ray diffraction monitoring2012

    • Author(s)
      D. Tanaka, D. Iida, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] AIN mole Fraction dependence of polarization induced hole concentrations in GaN/AIGaN heterostructures2012

    • Author(s)
      T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I.Akasaki
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] Composition dependence of critical thicknesses in GaInN/GaN characterized by situ X-ray diffraction measurement2012

    • Author(s)
      . Kondo, D. Iida, T. Sugiyama, H. Matsubara, M. Sowa, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] Strain relaxation mechanism in GaInN/GaN heterostructure characterized by in XRD monitoring during growth and ex situ measurements2012

    • Author(s)
      H. Matsubara. D. Iida, T. Sugiyama, Y. Kondo, M. Sowa, S. Umeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] Study on efficiency component estimation by electroluminescence and photoluminescense intensities2012

    • Author(s)
      K. Aoyama, A. Suzuki, T. Kitano, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] Combination of ITO and Si02/AIN dielectric multilayer reflective electrodes for light-emitting diodes2012

    • Author(s)
      T.Nakashima, I Takeda. Y. Matsubara, M. lwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] Carrier injections in nitride-based light emitting diodes including two actiregions with Mg-doped intermediate layers2012

    • Author(s)
      K. Matsui, K. Yamashita, M. Kaga, T. Morita, T. Suzuki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] Microstructure analysis of AIGaN on underlying layers with different thread dislocation densities2012

    • Author(s)
      K. Ide, Y. Matsubara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] MOVPE growth of embedded GaN nanocolumn2012

    • Author(s)
      S. Umeda, T. Kato, T. Kitano, T. Kondo, H. Matsubara, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
    • Organizer
      The International Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] ピエゾ・自発分極電荷への正孔蓄積の検討2012

    • Author(s)
      安田俊輝,矢木康太,鈴木智行,中嶋 翼,渡邉雅大、竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    • Organizer
      第73回応用物理学会講演会
    • Place of Presentation
      松山
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] GaInN/GaNヘテロ接合におけるミスフィット転位の観察2012

    • Author(s)
      松原大幸,飯田大輔.杉山徹,近藤保成,曽和美保子,梅田慎也,岩谷素顕,竹内哲也、上山 智.赤崎 勇
    • Organizer
      第73回応用物理学会講演会
    • Place of Presentation
      松山
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] AIGaN/AINにおける下地AIN転位密度依存性2012

    • Author(s)
      井手公康,松原由布子,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    • Organizer
      第73回応用物理学会講演会
    • Place of Presentation
      松山
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] ITOとSi02/AIN誘電体多層膜を組み合わせた電極による350nm紫外LEDの高効率化2012

    • Author(s)
      中嶋 翼,竹田健一郎,新里紘史,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇,天野 浩
    • Organizer
      第73回応用物理学会講演会
    • Place of Presentation
      松山
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] Mgドープ中間層を用いた二波長発光ダイオードにおける電流注入依存性量の検1152012

    • Author(s)
      松井健城,山下浩司,加賀 充,森田隆敏,鈴木智行,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    • Organizer
      第73回応用物理学会講演会
    • Place of Presentation
      松山
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] III族窒化物半導体トンネル接合を用いたn-p接合LED2012

    • Author(s)
      森田隆敏,加賀 充,桑野侑香,松井健城,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    • Organizer
      第73回応用物理学会講演会
    • Place of Presentation
      松山
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] 100チャンネル10μm径マイクロLEDアレイの作製2012

    • Author(s)
      渡邉雅大,山下浩司,加賀 充,鈴木智行,森田隆敏,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    • Organizer
      第73回応用物理学会講演会
    • Place of Presentation
      松山
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] ELとPLを組み合わせたLED効率成分の導出方法の検討2012

    • Author(s)
      青山和樹,鈴木敦志,北野 司,上山 智,竹内哲也,岩谷素顕,赤崎 勇
    • Organizer
      第73回応用物理学会講演会
    • Place of Presentation
      松山
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] Strain Relaxation Mechanism in GaInN/GaN Heterostructure Characterized by in situ X-ray Diffraction Monitoring During Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth2012

    • Author(s)
      M. Iwaya, D. Iida, T. Sugiyama, M. Sowa, Y. Kondo, H Matsubara, T. Takeuchi, S. Kamiyama. and l. Akasaki
    • Organizer
      39th International Symposium on Compound Semiconductors
    • Place of Presentation
      Santa Barbara, CA, USA
    • Year and Date
      20120827-20120830
  • [Presentation] Observation of GaInN strain relaxation by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapour phase epitaxy growth2012

    • Author(s)
      M. Iwaya, D. Iida, T. Sugiyama, M. Sowa, Y. Kondo, H Matsubara, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and l. Akasaki
    • Organizer
      4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • Place of Presentation
      St. Petersburg, Russia
    • Year and Date
      20120716-20120719
  • [Presentation] Composition dependence of critical thicknesses in GaInN/GaN characterized by in situ X-ray diffraction measurement2012

    • Author(s)
      Y. Kondo, D. Iida, T. Sugiyama. M. Sowa, H. Matsubara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and l. Akasaki
    • Organizer
      4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • Place of Presentation
      St. Petersburg, Russia
    • Year and Date
      20120716-20120719
  • [Presentation] Observation of GaInN strain relaxation using in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor phase epitaxy growth2012

    • Author(s)
      I Iwaya, D. Iida, D. Tanaka, T. Sugiyama, M. Sowa, Y. Kondo, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • Organizer
      16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    • Place of Presentation
      Pusan, Korea
    • Year and Date
      20120520-20120525
  • [Presentation] Optimizations of Nitride Semiconductor-Based Tunnel Junctions2012

    • Author(s)
      M. Kaga, K. Yamashita, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and l. Akasaki
    • Organizer
      16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    • Place of Presentation
      Pusan, Korea
    • Year and Date
      20120520-20120525
  • [Presentation] Microstructure of AIGaN on Low-Dislocation Density AIN Underlying Layer Grown by Epitaxial Lateral Overgrowth2012

    • Author(s)
      K Ide. J. Yamamoto, M. Iwaya, S. Kamiyama, T. Takeuchi, I. Akasaki, and H Amano
    • Organizer
      16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    • Place of Presentation
      Pusan, Korea
    • Year and Date
      20120520-20120525
  • [Presentation] 膜厚変化に伴うGaInN/GaNヘテロ接合の微細構造観察2012

    • Author(s)
      松原大幸,飯田大輔、杉山 徹、近藤保成、曽和美保子、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    • Organizer
      第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120427-20120428
  • [Presentation] n型GaN直下におけるトンネル接合およびp型GaN活性化の検討2012

    • Author(s)
      桑野侑香、山下浩司、加賀充、森田隆敏、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤崎 勇
    • Organizer
      第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120427-20120428
  • [Presentation] 埋め込み型GaNナノコラム結晶のMOVPE成長に関する検討2012

    • Author(s)
      梅田慎也、加藤嵩裕、北野 司、近藤俊行、松原大幸、上山 智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎 勇
    • Organizer
      第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120427-20120428
  • [Presentation] GaInN量子井戸へのAI添加によるAlGalnN量子井戸の作製と評価2012

    • Author(s)
      鈴木智行、加賀充、北野 司、難波江宏一、平野敬祐、竹内哲也、上山 智、岩谷 素、赤崎 勇
    • Organizer
      第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120427-20120428
  • [Presentation] X線その場観察MOVPEにより評価したGaInN/GaNの臨界膜厚2012

    • Author(s)
      近藤保成、飯田大輔、杉山 徹、曽和美保子、松原大幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    • Organizer
      第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)2012
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120427-20120428
  • [Presentation] 基板・半導体層のナノ加工と半導体デバイスへの応用2012

    • Author(s)
      岩谷 素顕
    • Organizer
      日本機械学会 情報・知能・精密機器部門 分科会 第1回「窒化物半導体デバイスに関わる超精蚤加工プロセス研究会」発会記念 特別講演会
    • Place of Presentation
      福岡
    • Year and Date
      2012-05-30
  • [Book] 第3章第1節"MOVPE-サファイア基板上へのc面GaNの成長メカニズム"2012

    • Author(s)
      岩谷素顕
    • Total Pages
      8
    • Publisher
      サイエンスアンドテクノロジー

URL: 

Published: 2014-07-16  

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