2014 Fiscal Year Annual Research Report
太陽光スペクトルに近い究極的な照明用・蛍光体フリー・白色ＬＥＤ
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24686003
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| Research Institution | Meijo University |
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Principal Investigator |
岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | 貼り合わせ技術 / その場観察 / GaInN / ITO / 基板剥離 / GaN / プラズモン / 多層膜反射鏡 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究課題では発光強度を高めると同時にブロード発光を実現するための手法の開拓、Moth-eye構造や多層膜反射鏡技術などの『光制御技術』および『光/電子透過型・貼り合わせ技術』を活用することによって、窒化物半導体光デバイスの新たなる潮流を実現することを目的として研究を進めた。
平成26年度は特に、その場X線回折測定を用いたGaInNの結晶成長原理の確立、窒化物半導体と他の半導体（GaAsやAlGaInPなど）との貼り合わせ技術、さらにITO透明電極を活用した貼り合わせ技術、トンネル接合の低抵抗化、GaN基板からの剥離技術、さらにはAu微粒子を用いた表面プラズモンを活用した緑色LEDの発光強度増大、さらには多層膜反射鏡の技術確立を進めた。
具体的な成果としては、MOVPE装置に取り付けたX線回折装置を取り付け、デバイス構造に最適なGaInNの成長条件を確立した。さらに、本研究課題が志向する『光/電子透過型・貼り合わせ技術』を確立するために、GaN基板での薄膜剥離技術、さらには直接接合技術および透明ITO電極を用いた貼り合わせ技術を確立した。さらにトンネル接合の低抵抗化に関しても合わせて検討した。さらに、現状効率の低い緑色LEDの発光強度増大に関してAu微粒子を用いることによってプラズモンとのカップリングを活用することによって発光強度の増大が報告されているので、その技術をLEDに適用することを検討した。さらに紫外から可視の領域で高反射率な多層膜反射鏡を作製する技術を確立した。
以上の技術を活用して、GaInN系太陽電池とAlGaInP系太陽電池の多接合化を行い、最終的に開放電圧の向上などを確認した。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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