2013 Fiscal Year Research-status Report
紫外光照射による光化学反応を重畳したSiC単結晶の高能率鏡面研削
Project/Area Number |
24760105
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Research Institution | Kyoto Institute of Technology |
Principal Investigator |
山口 桂司 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 助教 (00609282)
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Keywords | SiC / フォースプレート |
Research Abstract |
3次元の力計測が可能な薄型移動式フォースプレートを購入し,漸増切込み切削試験機に組み込み,基礎的な性能試験を行った.性能試験はソーダ石灰ガラスを工作物とする予備実験で行った.予備実験の結果,切込みが大きくなるにつれて鉛直方向の力(背分力)が徐々に大きくなり,脆性破壊の発生とともに波形が大きく乱れることを確認した.また,工作物の傾斜角度は可能な限り小さくしておくことで,延性モード切削から脆性モードへの遷移点を明確にできるものと予想できる結果を得た.平成26年度には,実際にSiCを工作物として試験を行うことで,紫外光有無による切削抵抗の差を明らかにする.また,その結果をもとに研削用砥石を作成し,基礎的な研削性能を評価する.
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
3次元の力計測が可能な薄型移動式フォースプレートを購入し,漸増切込み切削試験機に組み込んだ.しかしながら,フォースプレートの不具合が多数生じたため,装置の完成・調整が1月中旬まで後ろ倒しになってしまった.このため,ソーダ石灰ガラスを用いた予備実験のみ行えた状態である.今後は,SiCに対する実験条件を決定し,紫外光照射の有効性を調査する本実験に取り組む.
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Strategy for Future Research Activity |
ソーダ石灰ガラスを用いた予備実験の結果をもとに,SiCに対する実験条件を決定する.切込み速度・傾斜角度をそれぞれ3種類に変更することで比較を行う.また,紫外光照射の有効性評価においては,①紫外光照射なし,②事前に紫外光を30分程度照射したSiCに対する実験,③漸増切込み試験時に直接紫外光を照射する実験の3パターンの実験を行う.一方,試作砥石による研削実験では,定圧研削を模擬した予備実験を行い,基礎的な研削特性を評価することで,実際のウェハ研削の条件決定を行う.決定した実験条件をもとにウェハ研削を行い,UVアシスト研削の有効性を調査する.研削前後のSiCウェハは走査型白色干渉計を用いた表面粗さ計測,レーザー斜入射干渉方式平面度測定装置による平面度測定,赤外線光弾性装置によるひずみ評価を行う予定である.
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