人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立

2024 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 24H00035
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Review Section: Broad Section C
• Research Institution: Hiroshima University
• Principal Investigator: 黒木 伸一郎 広島大学, 半導体産業技術研究所, 教授 (70400281)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 田中 保宣 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究センター長 (20357453) ; 児島 一聡 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (40371041) ; 大島 武 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, センター長 (50354949) ; 武山 昭憲 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (50370424) ; 牧野 高紘 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (80549668)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2029-03-31

Scientific Significance and Expected Research Achievements

本研究は、動作温度500℃以上、放射線量2 MGy以上という極限環境で動作するSiC CMOS集積回路技術を確立し、マイクロプロセッサやイメージセンサの実現を目指すものであり、「極限環境エレクトロニクス」という新たな学問領域を切り拓くという学術的重要性に加えて、我が国にとって喫緊の課題である福島第一原発の廃炉問題解決への貢献が期待される。