TlBr半導体による高感度・高精細フォトンイメージングの実現

2024 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 24H00230
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 15:Particle-, nuclear-, astro-physics, and related fields
• Research Institution: Tohoku Institute of Technology
• Principal Investigator: 小野寺 敏幸 東北工業大学, 工学部, 准教授 (10620916)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 野上 光博 東北大学, 工学研究科, 助手 (10847304) ; 豊川 秀訓 公益財団法人高輝度光科学研究センター, 放射光利用研究基盤センター, 特別嘱託研究職員 (60344397) ; 人見 啓太朗 東北大学, 工学研究科, 准教授 (60382660)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2029-03-31

Scientific Significance and Expected Research Achievements

新しい半導体材料を、独創性のある先行研究に基づき開発・発展させることが期待できる。新しい半導体を用いたフォトンイメージングが実現した際のサイエンス、医療及び産業への影響力は高く、研究の重要性が明確である。